Am Moment kann eis Firma weiderhin kleng Chargen vun 8 Zoll N SiC Waferen liwweren. Wann Dir Proufbedarf hutt, zéckt net mech ze kontaktéieren. Mir hunn e puer Proufwaferen, déi prett sinn fir ze verschécken.
Am Beräich vun den Hallefleedermaterialien huet d'Firma e groussen Duerchbroch an der Fuerschung an Entwécklung vu grousse SiC-Kristaller gemaach. Duerch d'Benotzung vun hiren eegene Keimkristaller no verschiddene Ronne vun Duerchmiesservergréisserung huet d'Firma erfollegräich 8-Zoll N-Typ SiC-Kristaller ugebaut, wat schwiereg Problemer wéi ongläich Temperaturfeld, Kristallrëss an Gasphas-Rohmaterialverdeelung am Wuessprozess vun 8-Zoll SIC-Kristaller léist, an de Wuesstum vu grousse SIC-Kristaller an déi autonom a kontrolléierbar Veraarbechtungstechnologie beschleunegt. Dëst verbessert d'Kärkompetitivitéit vun der Firma an der SiC-Eenkristallsubstratindustrie däitlech. Gläichzäiteg fërdert d'Firma aktiv d'Akkumulatioun vun Technologie a Prozesser vun der experimenteller Linn fir d'Virbereedung vu grousse Siliziumcarbid-Substrater, stäerkt den techneschen Austausch an d'industriell Zesummenaarbecht an Upstream- a Downstream-Beräicher, a schafft mat Clienten zesummen fir d'Produktleistung stänneg ze iteréieren, a fërdert zesummen de Tempo vun der industrieller Uwendung vu Siliziumcarbidmaterialien.
| 8 Zoll N-Typ SiC DSP Spezifikatiounen | |||||
| Zuel | Artikel | Eenheet | Produktioun | Fuerschung | Dummy |
| 1. Parameteren | |||||
| 1.1 | Polytyp | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | Uewerflächenorientéierung | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2. Elektresch Parameter | |||||
| 2.1 | Dotiermëttel | -- | n-Typ Stéckstoff | n-Typ Stéckstoff | n-Typ Stéckstoff |
| 2.2 | Widderstand | ohm ·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3. Mechanesch Parameter | |||||
| 3.1 | Duerchmiesser | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
| 3.2 | Déckt | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Notch Orientéierung | ° | [1-100]±5 | [1-100]±5 | [1-100]±5 |
| 3.4 | Kerbdéift | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5 (10mm * 10mm) | ≤5 (10mm * 10mm) | ≤10 (10mm * 10mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Béi | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Ketten | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 |
| 4. Struktur | |||||
| 4.1 | Mikropäifdicht | ea/cm² | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | Metallgehalt | Atomer/cm² | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea/cm² | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | BPD | ea/cm² | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea/cm² | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Positiv Qualitéit | |||||
| 5.1 | vir | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | Uewerflächenfinish | -- | Si-Face CMP | Si-Face CMP | Si-Face CMP |
| 5.3 | Partikel | ea/Waffel | ≤100 (Gréisst ≥0,3μm) | NA | NA |
| 5.4 | krazen | ea/Waffel | ≤5, Gesamtlängt ≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | Rand Abschnitzen/Verdéiwungen/Rëss/Flecken/Kontaminatioun | -- | Keen | Keen | NA |
| 5.6 | Polytyp-Gebidder | -- | Keen | Fläch ≤10% | Fläch ≤30% |
| 5.7 | Frontmarkéierung | -- | Keen | Keen | Keen |
| 6. Réckqualitéit | |||||
| 6.1 | Réckfinish | -- | C-Face MP | C-Face MP | C-Face MP |
| 6.2 | krazen | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Réckdefekter um Rand Stécker/Verdéiwungen | -- | Keen | Keen | NA |
| 6.4 | Réckrauheet | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Réckmarkéierung | -- | Kerb | Kerb | Kerb |
| 7. Rand | |||||
| 7.1 | Rand | -- | Fase | Fase | Fase |
| 8. Pak | |||||
| 8.1 | Verpackung | -- | Epi-ready mat Vakuum Verpackung | Epi-ready mat Vakuum Verpackung | Epi-ready mat Vakuum Verpackung |
| 8.2 | Verpackung | -- | Multi-Wafer Kassettenverpackung | Multi-Wafer Kassettenverpackung | Multi-Wafer Kassettenverpackung |
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 18. Abrëll 2023