Silicon Carbide (SiC), als eng Zort breet Band Spalt semiconductor Material, spillt eng ëmmer méi wichteg Roll an der Applikatioun vun modern Wëssenschaft an Technologie.Siliziumkarbid huet exzellent thermesch Stabilitéit, héich elektresch Feldtoleranz, intentionell Konduktivitéit an aner exzellent physesch an optesch Eegeschaften, a gëtt wäit an optoelektroneschen Apparater a Solargeräter benotzt.Wéinst der Erhéijung vun der Nofro fir méi effizient a stabil elektronesch Geräter, ass d'Beherrschung vun der Wuesstumstechnologie vu Siliziumkarbid e Hotspot ginn.
Also wéi vill wësst Dir iwwer de SiC Wuesstumsprozess?
Haut wäerte mir dräi Haapttechnike fir de Wuesstum vu Siliciumcarbid Eenkristallen diskutéieren: kierperlecht Damptransport (PVT), Flëssegphase Epitaxie (LPE), an Héichtemperatur chemesch Dampdepositioun (HT-CVD).
Physical Vapor Transfer Method (PVT)
Physikalesch Dampfertransfermethod ass ee vun de meescht benotzt Siliziumkarbid Wuesstumsprozesser.De Wuesstum vun Single-Crystal Silicium Carbide ass haaptsächlech ofhängeg vun der Sublimatioun vum Sic-Pulver an der Redposition op Somkristall ënner héijer Temperaturbedéngungen.An engem zouenen Graphit-Kraaft gëtt de Siliziumkarbidpulver op héijer Temperatur erhëtzt, duerch d'Kontroll vum Temperaturgradient, de Siliziumkarbiddamp kondenséiert op der Uewerfläch vum Somkristall, a wächst lues a lues e grousse Gréisst Eenkristall.
Déi grouss Majoritéit vun der monokristallinem SiC, déi mir am Moment ubidden, ginn op dës Manéier vum Wuesstum gemaach.Et ass och de Mainstream Wee an der Industrie.
Liquid Phase Epitaxy (LPE)
Siliciumcarbid Kristalle ginn duerch flësseg Phase Epitaxie duerch e Kristallwachstumsprozess op der zolidd-flësseger Interface virbereet.An dëser Method gëtt de Siliziumkarbidpulver an enger Silizium-Kuelestoffléisung bei héijer Temperatur opgeléist, an dann gëtt d'Temperatur erofgesat, sou datt de Siliziumkarbid aus der Léisung ausfällt an op de Somkristalle wächst.Den Haaptvirdeel vun der LPE-Methode ass d'Fäegkeet fir qualitativ héichwäerteg Kristalle bei enger niddereger Wuesstumstemperatur ze kréien, d'Käschte si relativ niddereg, an et ass gëeegent fir grouss Produktioun.
Héich Temperatur Chemesch Dampdepositioun (HT-CVD)
Andeems de Gas mat Silizium a Kuelestoff an d'Reaktiounskammer bei héijer Temperatur agefouert gëtt, gëtt déi eenzeg Kristallschicht vu Siliziumkarbid direkt op der Uewerfläch vum Somkristall duerch chemesch Reaktioun deposéiert.De Virdeel vun dëser Method ass datt d'Flëssegkeet an d'Reaktiounsbedéngungen vum Gas präzis kontrolléiert kënne ginn, fir e Siliziumkarbidkristall mat héijer Rengheet a wéineg Defekter ze kréien.Den HT-CVD-Prozess kann Siliziumkarbid-Kristalle mat exzellente Properties produzéieren, wat besonnesch wäertvoll ass fir Uwendungen wou extrem héichqualitativ Materialien erfuerderlech sinn.
De Wuesstumsprozess vu Siliziumkarbid ass den Ecksteen vu senger Uwendung an Entwécklung.Duerch kontinuéierlech technologesch Innovatioun an Optimiséierung spillen dës dräi Wuesstumsmethoden hir jeeweileg Rollen fir d'Bedierfnesser vu verschiddene Occasiounen ze treffen, déi wichteg Positioun vum Siliziumkarbid garantéieren.Mat der Tiefe vun der Fuerschung an dem technologesche Fortschrëtt gëtt de Wuesstumsprozess vu Siliziumkarbidmaterial weider optimiséiert, an d'Performance vun elektroneschen Apparater wäert weider verbessert ginn.
(Zensur)
Post Zäit: Jun-23-2024