Saphir ass en eenzegen Kristall vun Alumina, gehéiert zum Tripartite Kristallsystem, sechseckegen Struktur, seng Kristallstruktur besteet aus dräi Sauerstoffatome an zwee Aluminiumatome a kovalente Bindungstyp, ganz enk arrangéiert, mat staarker Bindungskette a Gitterenergie, wärend seng Kristallinterieur bal keng Gëftstoffer oder Mängel, sou datt et exzellent elektresch Isolatioun, Transparenz, gutt thermesch Konduktivitéit an héich Steifheetseigenschaften huet. Breet benotzt als optesch Fënster an héich performant Substratmaterialien. Wéi och ëmmer, d'molekulare Struktur vu Saphir ass komplex an et gëtt Anisotropie, an den Impakt op déi entspriechend kierperlech Eegeschaften ass och ganz anescht fir d'Veraarbechtung an d'Benotzung vu verschiddene Kristallrichtungen, sou datt d'Benotzung och anescht ass. Am Allgemengen, Saphir Substrate sinn an C, R, A an M Fliger Richtungen sinn.
D'Applikatioun vunC-Fliger Saphir wafer
Galliumnitrid (GaN) als breet Bandgap drëtt Generatioun Hallefleit, huet breet direkt Band Spalt, staark atomarer Bindung, héich thermesch Konduktivitéit, gutt chemesch Stabilitéit (bal net vun enger Seier korrodéiert) a staark Anti-Bestralungsfäegkeet, an huet breet Perspektiven an d'Applikatioun vun Optoelektronik, Héichtemperatur- a Kraaftapparater an Héichfrequenz Mikrowellengeräter. Wéi och ëmmer, wéinst dem héije Schmelzpunkt vu GaN, ass et schwéier grouss Gréisst Eenkristallmaterialien ze kréien, sou datt de gemeinsame Wee ass heteroepitaxy Wuesstum op anere Substrater auszeféieren, wat méi héich Ufuerderunge fir Substratmaterialien huet.
Am Verglach mat derSaphir Substratmat anere Kristallsiichter ass de Gitter konstante Mëssmatch Taux tëscht der C-Fliger (<0001> Orientéierung) Saphirwafer an de Filmer deposéiert a Gruppen Ⅲ-Ⅴ an Ⅱ-Ⅵ (wéi GaN) relativ kleng, an de Gitter konstante Mëssmatch Taux tëscht deenen zwee an derAlN Filmerdéi als Pufferschicht benotzt ka ginn ass nach méi kleng, an et entsprécht den Ufuerderunge vun der héijer Temperaturresistenz am GaN-Kristalliséierungsprozess. Dofir ass et e gemeinsamt Substratmaterial fir GaN Wuesstum, dat benotzt ka ginn fir wäiss / blo / gréng LEDs, Laserdioden, Infraroutdetektoren an sou weider ze maachen.
Et ass derwäert ze erwähnen datt de GaN-Film, deen um C-Fliger Saphir Substrat ugebaut gëtt, laanscht seng Polarachs wächst, dat heescht d'Richtung vun der C-Achs, wat net nëmme reife Wuesstumsprozess an Epitaxisprozess ass, relativ niddereg Käschten, stabil kierperlech a chemesch Eegeschaften, awer och besser Veraarbechtungsleistung. D'Atomer vun der C-orientéierter Saphirwafer sinn an enger O-al-al-o-al-O Arrangement gebonnen, während déi M-orientéiert an A-orientéiert Saphirkristaller an al-O-al-O gebonnen sinn. Well Al-Al manner Bindungsenergie a méi schwaach Bindung wéi Al-O huet, am Verglach mat de M-orientéierten an A-orientéierte Saphirkristalle, ass d'Veraarbechtung vu C-Saphir haaptsächlech den Al-Al Schlëssel opzemaachen, wat méi einfach ze veraarbecht ass , a kann méi héich Uewerfläch Qualitéit kréien, an dann besser Gallium Nitride epitaxial Qualitéit kréien, déi d'Qualitéit vun ultra-héich Hellegkeet wäiss / blo LED verbesseren kann. Op der anerer Säit hunn d'Filmer, déi laanscht d'C-Achs gewuess sinn, spontan a piezoelektresch Polariséierungseffekter, wat zu engem staarken internen elektresche Feld an de Filmer resultéiert (aktiv Schicht Quante Wells), wat d'Liichteffizienz vu GaN Filmer staark reduzéiert.
A-Fliger Saphir WaferApplikatioun
Wéinst senger exzellenter ëmfaassender Leeschtung, besonnesch exzellenter Iwwerdroung, kann Saphir Eenkristall den Infrarout-Penetratiounseffekt verbesseren, an en ideale Mëttel-Infrarout-Fënstermaterial ginn, dat wäit an der militärescher photoelektrescher Ausrüstung benotzt gouf. Wou eng Saphir e polare Plang (C Plang) an der normaler Richtung vum Gesiicht ass, ass eng net-polare Uewerfläch. Allgemeng ass d'Qualitéit vum A-orientéierte Saphirkristall besser wéi déi vum C-orientéierte Kristall, mat manner Verrécklung, manner Mosaikstruktur a méi komplette Kristallstruktur, sou datt et besser Liichttransmissionsleistung huet. Zur selwechter Zäit, wéinst dem Al-O-Al-O atomesche Bindungsmodus am Fliger a, sinn d'Häertheet an d'Verschleißbeständegkeet vun A-orientéierter Saphir wesentlech méi héich wéi déi vun C-orientéierter Saphir. Dofir ginn A-Direktiounschips meeschtens als Fënstermaterial benotzt; Zousätzlech huet A Saphir och eenheetlech dielektresch konstant an héich Isolatiounseigenschaften, sou datt et op Hybrid Mikroelektronik Technologie applizéiert ka ginn, awer och fir de Wuesstum vun super Dirigenten, wéi zum Beispill d'Benotzung vun TlBaCaCuO (TbBaCaCuO), Tl-2212, de Wuesstum. vun heterogenen epitaxialen Superleitungsfilmer op Ceriumoxid (CeO2) Saphirkompositsubstrat. Wéi och ëmmer, och wéinst der grousser Bindungsenergie vum Al-O ass et méi schwéier ze veraarbecht.
Applikatioun vunR / M Fliger Saphir wafer
De R-Fliger ass déi net-polare Uewerfläch vun engem Saphir, sou datt d'Verännerung vun der R-Fliger Positioun an engem Saphirapparat et verschidde mechanesch, thermesch, elektresch an optesch Eegeschafte gëtt. Am Allgemengen ass R-Uewerfläch Saphir Substrat bevorzugt fir heteroepitaxial Oflagerung vu Silizium, haaptsächlech fir Hallefleit, Mikrowellen a Mikroelektronik integréiert Circuit Uwendungen, an der Produktioun vu Bläi, aner superleitend Komponenten, héich Resistenzresistenz, Galliumarsenid kënnen och fir R- benotzt ginn. Typ Substratwachstum. Am Moment, mat der Popularitéit vun Smartphones an Tablet Computer Systemer, R-Gesiicht Saphir Substrat huet déi bestehend Verbindung SAW Apparater ersat fir Smart Handyen an Tablet Computeren benotzt, e Substrat fir Apparater déi Leeschtung verbesseren kann.
Wann et Verletzung, Kontakt läschen
Post Zäit: Jul-16-2024