Eng zousätzlech Schicht vu Siliziumatome wuessen op engem Siliziumwafer-Substrat huet verschidde Virdeeler:
An CMOS Silizium Prozesser ass epitaxial Wuesstem (EPI) um wafer Substrat e kriteschen Prozess Schrëtt.
1, Verbesserung vun der Kristallqualitéit
Initial Substratfehler a Gëftstoffer: Wärend dem Fabrikatiounsprozess kann de Wafer-Substrat verschidde Mängel a Gëftstoffer hunn. De Wuesstum vun der epitaxialer Schicht kann eng qualitativ héichwäerteg monokristallin Siliziumschicht mat nidderegen Konzentratioune vu Mängel a Gëftstoffer um Substrat produzéieren, wat entscheedend ass fir déi spéider Apparatfabrikatioun.
Uniform Kristallstruktur: Epitaxial Wuesstum garantéiert eng méi eenheetlech Kristallstruktur, reduzéiert den Impakt vu Kärgrenzen a Mängel am Substratmaterial, an doduerch d'Gesamtkristallqualitéit vum Wafer verbessert.
2, d'elektresch Leeschtung verbesseren.
Optimiséierung vum Apparat Charakteristiken: Duerch d'Erweiderung vun enger epitaxialer Schicht um Substrat kann d'Dopingkonzentratioun an d'Zort vum Silizium präzis kontrolléiert ginn, d'elektresch Leeschtung vum Apparat optimiséieren. Zum Beispill kann d'Doping vun der epitaxialer Schicht fein ugepasst ginn fir d'Schwellspannung vu MOSFETs an aner elektresch Parameteren ze kontrolléieren.
Reduktiounsstroum reduzéieren: Eng héichqualitativ epitaxial Schicht huet eng méi niddereg Defektdicht, wat hëlleft de Leckstroum an Apparater ze reduzéieren, doduerch d'Performance an d'Zouverlässegkeet vum Apparat ze verbesseren.
3, verbesseren elektresch Leeschtung.
Reduktioun vun der Featuregréisst: A méi klenge Prozessknäppchen (wéi 7nm, 5nm), d'Featuregréisst vun den Apparater schrumpft weider, erfuerdert méi raffinéiert a qualitativ héichwäerteg Materialien. Epitaxial Wuesstumstechnologie kann dës Ufuerderungen entspriechen, d'Fabrikatioun vun High-Performance an High-Density integréiert Circuits ënnerstëtzen.
Verbessere Breakdown Volt: Epitaxial Schichten kënne mat méi héijen Decompte Spannungen entworf ginn, wat kritesch ass fir High-Power- an High-Volt-Geräter ze fabrizéieren. Zum Beispill, a Kraaftapparater kënnen epitaxiale Schichten d'Decomptespannung vum Apparat verbesseren, an de séchere Betribsberäich erhéijen.
4, Prozess Kompatibilitéit a Multilayer Strukturen
Multilayer Strukturen: Epitaxial Wuesstumstechnologie erlaabt de Wuesstum vu Multilayer Strukturen op Substrater, mat verschiddene Schichten mat ënnerschiddlechen Dopingkonzentratioune an Typen. Dëst ass ganz gutt fir komplex CMOS-Geräter ze fabrizéieren an dräidimensional Integratioun z'erméiglechen.
Kompatibilitéit: Den epitaxialen Wuesstumsprozess ass héich kompatibel mat existente CMOS Fabrikatiounsprozesser, sou datt et einfach ass an aktuell Fabrikatiounsworkflows z'integréieren ouni bedeitend Ännerunge vun de Prozesslinnen.
Zesummefaassung: D'Applikatioun vum epitaxialen Wuesstum an CMOS Siliziumprozesser zielt haaptsächlech d'Qualitéit vu Waferkristall ze verbesseren, d'elektresch Leeschtung vum Apparat ze optimiséieren, fortgeschratt Prozessknäppchen z'ënnerstëtzen an d'Ufuerderunge vun der High-Performance an der High-Density integréierter Circuit Fabrikatioun ze treffen. Epitaxial Wuesstem Technologie erlaabt eng präzis Kontroll vu Material Doping a Struktur, d'Gesamtleistung an Zouverlässegkeet vun Apparater ze verbesseren.
Post Zäit: Okt-16-2024