SiC SiliziumkarbidApparat bezitt sech op den Apparat aus Siliziumkarbid als Rohmaterial.
Geméiss de verschiddene Resistenzeigenschaften ass et a konduktiv Siliziumkarbid Kraaftapparater a gedeeltsemi-isoléiert SiliziumkarbidRF Apparater.
Main Apparat Formen an Uwendungen vun Silicon Carbide
D'Haaptvirdeeler vun SiC iwwerSi Materialiensinn:
SiC huet e Bandspalt 3 Mol dee vu Si, wat d'Leckage reduzéiere kann an d'Temperaturtoleranz erhéijen.
SiC huet 10 Mol d'Decompte Feldstäerkt vu Si, kann d'Stroumdicht, d'Betribsfrequenz verbesseren, d'Spannungskapazitéit widderstoen an den On-Off Verloscht reduzéieren, méi gëeegent fir Héichspannungsapplikatiounen.
SiC huet zweemol d'Elektron Sättigungsdriftgeschwindegkeet vu Si, sou datt et mat enger méi héijer Frequenz funktionnéiert.
SiC huet 3 Mol d'thermesch Konduktivitéit vu Si, besser Wärmevergëftungsleistung, kann eng héich Kraaftdicht ënnerstëtzen an d'Hëtztvergëftungsfuerderunge reduzéieren, wat den Apparat méi hell mécht.
Conductive Substrat
Conductive Substrat: Andeems Dir verschidde Gëftstoffer am Kristall entfernt, besonnesch flaach Niveau Gëftstoffer, fir déi intrinsesch héich Resistivitéit vum Kristall z'erreechen.
KonduktivSiliciumcarbid SubstratSiC wafer
Konduktiv Siliziumkarbid Kraaftapparat ass duerch de Wuesstum vun der Siliziumkarbid-Epitaxialschicht op dem konduktiven Substrat, de Siliziumkarbid-Epitaxialplack gëtt weider veraarbecht, dorënner d'Produktioun vu Schottky-Dioden, MOSFET, IGBT, etc., haaptsächlech an elektresche Gefierer, Photovoltaikkraaft benotzt. Generatioun, Eisebunnstransit, Datenzenter, Laden an aner Infrastrukturen. D'Performance Virdeeler si wéi follegt:
Erweidert héich Drock Charakteristiken. D'Decompte elektresch Feldstäerkt vu Siliziumkarbid ass méi wéi 10 Mol déi vum Silizium, wat d'Héichdrockresistenz vu Siliziumkarbidgeräter wesentlech méi héich mécht wéi déi vun gläichwäerteg Siliziumapparater.
Besser héich Temperatur Charakteristiken. Siliziumkarbid huet eng méi héich thermesch Konduktivitéit wéi Silizium, wat d'Hëtztvergëftung vum Apparat méi einfach mécht an d'Begrenzungstemperatur méi héich mécht. Héich Temperaturresistenz kann zu enger wesentlecher Erhéijung vun der Kraaftdicht féieren, wärend d'Ufuerderunge vum Killsystem reduzéieren, sou datt den Terminal méi liicht a miniaturiséiert ka sinn.
Niddereg Energieverbrauch. ① Silicon Carbide Apparat huet ganz niddereg op-Resistenz a niddereg op-Verloscht; (2) De Leckstroum vu Siliciumcarbid-Geräter gëtt wesentlech reduzéiert wéi dee vu Silizium-Geräter, wouduerch d'Kraaftverloscht reduzéiert gëtt; ③ Et gëtt keen aktuellen tailing-Phänomen am Ausschaltprozess vu Siliziumkarbidgeräter, an de Schaltverloscht ass niddereg, wat d'Schaltfrequenz vu prakteschen Uwendungen staark verbessert.
Semi-isoléiert SiC Substrat: N Doping gëtt benotzt fir d'Resistivitéit vu konduktiven Produkter präzis ze kontrolléieren andeems déi entspriechend Relatioun tëscht Stickstoffdoping Konzentratioun, Wuesstumsrate a Kristallresistivitéit kalibréiert gëtt.
Héich Puritéit semi-isoléierend Substratmaterial
Semi-isoléiert Silizium Kuelestoff-baséiert RF-Geräter ginn weider gemaach andeems d'Galliumnitrid-Epitaxialschicht op semi-isoléiertem Siliziumkarbidsubstrat wuessen fir Siliziumnitrid-Epitaxialplack ze preparéieren, dorënner HEMT an aner Galliumnitrid RF-Geräter, haaptsächlech an 5G Kommunikatiounen, Gefierkommunikatioun benotzt, Verdeedegung Uwendungen, Daten Transmissioun, Loftfaart.
Déi gesättegt Elektronendriftrate vu Siliziumkarbid a Galliumnitridmaterialien ass 2,0 an 2,5 Mol dee vum Silizium respektiv, sou datt d'Betribsfrequenz vu Siliziumkarbid a Galliumnitrid Geräter méi grouss ass wéi déi vun traditionelle Siliziumapparater. Wéi och ëmmer, Galliumnitridmaterial huet den Nodeel vu schlechter Hëtztbeständegkeet, wärend Siliziumkarbid gutt Hëtztbeständegkeet an thermesch Konduktivitéit huet, wat fir déi schlecht Wärmebeständegkeet vu Galliumnitrid-Geräter kompenséiere kann, sou datt d'Industrie semi-isoléiert Siliziumkarbid als Substrat hëlt , a gan epitaxial Schicht gëtt op de Siliziumkarbidsubstrat gewuess fir RF-Geräter ze fabrizéieren.
Wann et Verletzung, Kontakt läschen
Post Zäit: Jul-16-2024