Wat bedeiten TTV, BOW, WARP an TIR a Waferen?

Wann een Halbleiter-Siliciumwaferen oder Substrater aus anere Materialien ënnersicht, stousse mer dacks op technesch Indikatoren wéi: TTV, BOW, WARP, a méiglecherweis TIR, STIR, LTV, ënner anerem. Wéi eng Parameter representéieren dës?

TTV - Total Déckt Variatioun
BOU — Bou
WARP — Warp
TIR — Total Indikatiounsliesung
STIR — Site Total Indicated Reading
LTV — Lokal Dickevariatioun

1. Total Décktvariatioun — TTV

Den Ënnerscheed tëscht der maximaler an minimaler Déckt vum Wafer am Verhältnes zu der Referenzfläch, wann de Wafer ageklemmt ass a a enker Kontakt ass. Dëse gëtt allgemeng a Mikrometer (μm) ausgedréckt, dacks duergestallt als: ≤15 μm.

2. Béi — BÉI

D'Ofwäichung tëscht dem minimalen an dem maximalen Ofstand vum Mëttelpunkt vun der Waferuewerfläch bis zur Referenzfläch, wann de Wafer sech an engem fräien (net ageklemmten) Zoustand befënnt. Dëst ëmfaasst souwuel konkav (negativ Béi) wéi och konvex (positiv Béi) Fäll. Si gëtt typescherweis a Mikrometer (μm) ausgedréckt, dacks duergestallt als: ≤40 μm.

3. Verzerrung — VERZERRUNG

D'Ofwäichung tëscht dem minimalen an dem maximalen Ofstand vun der Waferuewerfläch bis zur Referenzfläch (normalerweis der Récksäit vum Wafer), wann de Wafer sech an engem fräien (net ageklemmten) Zoustand befënnt. Dëst ëmfaasst souwuel konkav (negativ Verzerrung) wéi och konvex (positiv Verzerrung) Fäll. Si gëtt allgemeng a Mikrometer (μm) ausgedréckt, dacks duergestallt als: ≤30 μm.

4. Gesamtwäert — TIR

Wann de Wafer festgeklemmt ass a enk a Kontakt steet, andeems eng Referenzfläch benotzt gëtt, déi d'Zomm vun den Ofschnëtter vun alle Punkten am Qualitéitsberäich oder enger spezifizéierter lokaler Regioun op der Waferuewerfläch miniméiert, ass den TIR d'Ofwäichung tëscht dem maximalen an dem minimale Ofstand vun der Waferuewerfläch zu dëser Referenzfläch.

Gegrënnt op déifgräifender Expertise a Spezifikatioune vu Hallefleedermaterialien wéi TTV, BOW, WARP an TIR, bitt XKH präzis personaliséiert Waferveraarbechtungsservicer, déi op streng Industriestandarden zougeschnidden sinn. Mir liwweren an ënnerstëtzen eng breet Palette vun héichperformante Materialien, dorënner Saphir, Siliziumcarbid (SiC), Siliziumwaferen, SOI a Quarz, wat aussergewéinlech Flaachheet, Déckkonsistenz a Uewerflächenqualitéit fir fortgeschratt Uwendungen an der Optoelektronik, Energieversuergungsapparater a MEMS garantéiert. Vertraut eis fir zouverlässeg Materialléisungen a Präzisiounsbearbechtung ze liwweren, déi Är usprochsvollst Designufuerderungen erfëllen.