Mat der kontinuéierlecher Entwécklung vun der Halbleitertechnologie, an der Hallefleitindustrie a souguer der Photovoltaikindustrie sinn d'Ufuerderunge fir d'Uewerflächqualitéit vum Wafer-Substrat oder Epitaxialblech och ganz strikt. Also, wat sinn d'Qualitéitsfuerderunge fir Wafers? huelenSaphir wafers als Beispill, wat Indicateuren kann benotzt ginn der Uewerfläch Qualitéit vun wafers ze evaluéieren?
Wat sinn d'Wafers Evaluatiounsindikatoren?
Déi dräi Indicateuren
Fir Saphirwafere sinn seng Evaluatiounsindikatoren total Dickedeviatioun (TTV), Béi (Bow) a Warp (Warp). Dës dräi Parameteren reflektéieren zesummen d'Flaachheet an d'Dicke Uniformitéit vum Siliziumwafer, a kënnen de Grad vun der Ripple vun der Wafer moossen. D'Korrugéierung kann mat der Flaachheet kombinéiert ginn fir d'Qualitéit vun der Wafer Uewerfläch ze evaluéieren.
Wat ass TTV, BOW, Warp?
TTV (Total Thickness Variation)
TTV ass den Ënnerscheed tëscht der maximaler a minimaler Dicke vun enger Wafer. Dëse Parameter ass e wichtege Index dee benotzt gëtt fir Waferdicke Uniformitéit ze moossen. An engem Hallefleitprozess muss d'Dicke vum Wafer ganz uniform iwwer d'ganz Uewerfläch sinn. Miessunge ginn normalerweis op fënnef Plazen op der Wafer gemaach an den Ënnerscheed gëtt berechent. Schlussendlech ass dëse Wäert eng wichteg Basis fir d'Qualitéit vum Wafer ze beurteelen.
Béi
Bow an semiconductor Fabrikatioun bezitt sech op d'Béie vun engem wafer, befreit d'Distanz tëscht dem Mëttelpunkt vun engem unclamped wafer an der Referenz Fliger. D'Wuert kënnt wahrscheinlech aus enger Beschreiwung vun der Form vun engem Objet wann et gebéit ass, wéi d'gebogen Form vun engem Bogen. De Bow Wäert gëtt definéiert andeems d'Ofwäichung tëscht dem Zentrum an dem Rand vun der Siliziumwafer gemooss gëtt. Dëse Wäert gëtt normalerweis a Mikrometer (µm) ausgedréckt.
Warp
Warp ass eng global Eegeschafte vu Waferen déi den Ënnerscheed tëscht der maximaler a minimaler Distanz tëscht der Mëtt vun enger fräi ongeklemmter Wafer an der Referenzfläch moosst. Representéiert d'Distanz vun der Uewerfläch vum Siliziumwafer zum Fliger.
Wat ass den Ënnerscheed tëscht TTV, Bow, Warp?
TTV konzentréiert sech op Ännerungen an der Dicke a beschäftegt sech net mat der Biegen oder Verzerrung vum Wafer.
Bow konzentréiert sech op d'Gesamtbéi, haaptsächlech mat der Biegung vum Mëttelpunkt an de Rand.
Warp ass méi ëmfaassend, inklusiv Biegen a Verdreifung vun der ganzer Wafer Uewerfläch.
Och wann dës dräi Parameteren mat der Form a geometreschen Eegeschafte vum Siliziumwafer verbonne sinn, gi se anescht gemooss a beschriwwen, an hiren Impakt op den Hallefleitprozess an d'Waferveraarbechtung ass och anescht.
Wat méi kleng déi dräi Parameteren, wat besser, a méi grouss de Parameter, dest méi grouss ass den negativen Impakt op den Halbleiterprozess. Dofir, als semiconductor Praktiker, musse mir d'Wichtegkeet vun wafer Profil Parameteren fir de ganze Prozess Prozess mierken, do semiconductor Prozess, muss Opmierksamkeet op Detailer bezuelen.
(Zensur)
Post Zäit: Jun-24-2024