D'Virdeeler vunDuerch Glas Via (TGV)an Through Silicon Via (TSV) Prozesser iwwer TGV sinn haaptsächlech:
(1) exzellent Héichfrequenz-elektresch Charakteristiken. Glasmaterial ass en Isolatiounsmaterial, d'Dielektrizitéitskonstant ass nëmmen ongeféier 1/3 vun där vum Siliziummaterial, an de Verloschtfaktor ass 2-3 Gréisstenuerdnungen méi niddreg wéi dee vum Siliziummaterial, wouduerch de Substratverloscht an d'parasitär Effekter staark reduzéiert ginn an d'Integritéit vum iwwerdroene Signal garantéiert gëtt;
(2)grouss Gréisst an ultradënn Glassubstratass einfach ze kréien. Corning, Asahi a SCHOTT an aner Glashersteller kënnen ultragrouss (>2m × 2m) an ultradënn (<50µm) Panelglas a ultradënn flexibel Glasmaterialien ubidden.
3) Niddreg Käschten. Profitéiert vum einfachen Zougang zu groussen ultradënnen Glaspanelen, an et ass net néideg, isoléierend Schichten ofzesetzen. D'Produktiounskäschte vun enger Glasadapterplack sinn nëmmen ongeféier 1/8 vun de Käschte vun enger Silizium-baséierter Adapterplack.
4) Einfache Prozess. Et ass net néideg, eng isoléierend Schicht op der Substratoberfläche an der bannenzeger Mauer vum TGV ofzesetzen, an et ass keng Verdënnung vun der ultradënner Adapterplack néideg;
(5) Staark mechanesch Stabilitéit. Och wann d'Dicke vun der Adapterplack manner wéi 100µm ass, ass d'Verzerrung ëmmer nach kleng;
(6) Breet Palette vun Uwendungen, ass eng nei Längsschnittsverbindungstechnologie, déi am Beräich vun der Wafer-Level-Verpackung agesat gëtt. Fir déi kuerst Distanz tëscht Wafer a Wafer z'erreechen, bitt de minimale Pitch vun der Verbindung en neien Technologiewee, mat exzellenten elektreschen, thermeschen a mechaneschen Eegeschaften, am RF-Chip, High-End MEMS-Sensoren, High-Density-Systemintegratioun an anere Beräicher mat eenzegaartege Virdeeler, ass et déi nächst Generatioun vu 5G, 6G Héichfrequenzchip 3D. Et ass eng vun den éischte Wiel fir 3D-Verpackung vun 5G an 6G Héichfrequenzchips vun der nächster Generatioun.
De Formprozess vun TGV ëmfaasst haaptsächlech Sandstrahlen, Ultraschallbuerungen, Naassätzen, Déifreaktivionenätzen, Fotosensitivätzen, Laserätzen, Laserinduzéiert Déiftätzen a Fokuséierungsentladungslachbildung.
Rezent Fuerschungs- an Entwécklungsresultater weisen datt d'Technologie Duerchgängeg Lächer a 5:1 Blannlächer mat engem Déift-Breet-Verhältnes vun 20:1 virbereede kann, a gutt Morphologie huet. Laserinduzéiert Déifätzen, wat zu enger klenger Uewerflächenrauheet féiert, ass déi am Moment am meeschte studéiert Method. Wéi an der Figur 1 gewisen, ginn et offensichtlech Rëss ronderëm normal Laserbuerungen, während d'Ëmgéigend an d'Säitewänn vun der Laserinduzéierter Déifätzen propper a glat sinn.
De Veraarbechtungsprozess vunTGVDen Zwëschenlager gëtt an der Figur 2 gewisen. De generelle Schema besteet doran, als éischt Lächer am Glassubstrat ze bueren, an dann eng Barrièreschicht an eng Keimschicht op der Säitewand an der Uewerfläch ofzesetzen. D'Barrièreschicht verhënnert d'Diffusioun vu Cu op de Glassubstrat, wärend d'Adhäsioun vun deenen zwee erhéicht gëtt. Natierlech hunn e puer Studien och festgestallt, datt eng Barrièreschicht net néideg ass. Duerno gëtt de Cu duerch Galvaniséierung ofgesat, dann geglüht, an d'Cu-Schicht gëtt duerch CMP ewechgeholl. Schlussendlech gëtt d'RDL-Neiverdrahtungsschicht duerch PVD-Beschichtungslithographie virbereet, an d'Passivatiounsschicht gëtt geformt, nodeems de Klebstoff ewechgeholl gouf.
(a) Virbereedung vum Wafer, (b) Bildung vun TGV, (c) Duebelsäiteg Elektroplatéierung – Oflagerung vu Koffer, (d) Glühen a chemesch-mechanesch Poléierung mat CMP, Entfernung vun der Uewerflächenkupferschicht, (e) PVD-Beschichtung a Lithographie, (f) Plazéierung vun der RDL-Neiverdrahtungsschicht, (g) Entkleben an Cu/Ti-Ätzen, (h) Bildung vun der Passivatiounsschicht.
Zesummegefaasst,Glasduerchgängeg Lächer (TGV)D'Applikatiounsperspektive si breet, an den aktuellen Inlandsmaart ass an enger Opstigsphase, vun Ausrüstung bis Produktdesign a Fuerschung an Entwécklung ass d'Wuesstumsquote méi héich wéi den Duerchschnëtt weltwäit.
Wann et eng Verletzung gëtt, kontaktéiert w.e.g. Läschen
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 16. Juli 2024