D'Virdeeler vunDuerch Glas Via (TGV)an Duerch Silicon Via (TSV) Prozesser iwwer TGV sinn haaptsächlech:
(1) exzellent Héichfrequenz elektresch Charakteristiken. Glasmaterial ass en Isoléiermaterial, d'Dielektresch Konstant ass nëmmen ongeféier 1/3 vun deem vum Siliziummaterial, an de Verloschtfaktor ass 2-3 Uerderen vun der Gréisst manner wéi dee vum Siliziummaterial, wat de Substratverloscht a parasitären Effekter staark reduzéiert mécht a garantéiert d'Integritéit vum iwwerdroe Signal;
(2)grouss Gréisst an ultra-dënn Glas Substratass einfach ze kréien. Corning, Asahi a SCHOTT an aner Glashersteller kënnen ultra-grouss Gréisst (> 2m × 2m) an ultra-dënn (<50µm) Panelglas an ultra-dënn flexibel Glasmaterialien ubidden.
3) Niddereg Käschten. Profitéiert vum einfachen Zougang zu grousser Gréisst ultra-dënnem Panelglas, a erfuerdert keng Oflagerung vun Isoléierschichten, d'Produktiounskäschte vun der Glasadapterplack sinn nëmmen ongeféier 1/8 vun der Silizium-baséiert Adapterplack;
4) Einfach Prozess. Et gëtt kee Besoin fir eng Isoléierschicht op der Substratoberfläche an der banneschten Mauer vum TGV ze deposéieren, a keng Ausdünnung ass an der ultra-dënnen Adapterplack erfuerderlech;
(5) Staark mechanesch Stabilitéit. Och wann d'Dicke vun der Adapterplack manner wéi 100μm ass, ass d'Kräizung nach ëmmer kleng;
(6) Breet Palette vun Uwendungen, ass eng opkomende longitudinal Interconnect Technologie, déi am Feld vun der Wafer-Niveau Verpackung applizéiert gëtt, fir déi kürzest Distanz tëscht dem Wafer-Wafer z'erreechen, de Minimum Pitch vun der Interconnect bitt en neien Technologiewee, mat exzellenten elektreschen , thermesch, mechanesch Eegeschaften, am RF Chip, High-End MEMS Sensoren, High-Density System Integratioun an aner Beräicher mat eenzegaartege Virdeeler, ass déi nächst Generatioun vu 5G, 6G High-Frequenz Chip 3D Et ass eng vun den éischte Choixen fir 3D Verpakung vun der nächster Generatioun 5G a 6G High-Frequenz Chips.
De molding Prozess vun TGV ëmfaasst haaptsächlech Sandblasting, Ultrasonic Bueraarbechten, naass Äss, déif reaktiv Ion Äss, photosensitive Ätz, Laser Äss, Laser-induzéiert Déift Ässung, a fokusséierend Entladungslochbildung.
Rezent Fuerschungs- an Entwécklungsresultater weisen datt d'Technologie duerch Lächer a 5: 1 blann Lächer mat enger Tiefe bis Breetverhältnis vun 20: 1 preparéiere kann an eng gutt Morphologie hunn. Laser-induzéiert déif Ässung, wat zu enger klenger Uewerflächrauheit resultéiert, ass déi meescht studéiert Method am Moment. Wéi an der Figur 1 gewisen, sinn et offensichtlech Rëss ronderëm gewéinlech Laser Bueraarbechten, iwwerdeems d'Ëmgéigend an Säit Mauere vun Laser-entschlof Déifbau propper a glat.
D'Veraarbechtung Prozess vunTGVInterposer gëtt an der Figur gewisen 2. De Gesamtschema ass fir d'éischt Lächer op de Glassubstrat ze bueren, an dann d'Barriärschicht an d'Saatschicht op der Säitmauer an der Uewerfläch ze deposéieren. D'Barriärschicht verhënnert d'Diffusioun vu Cu op d'Glassubstrat, wärend d'Adhäsioun vun deenen zwee erhéicht gëtt, natierlech, an e puer Studien och fonnt datt d'Barriärschicht net néideg ass. Duerno gëtt de Cu duerch Elektroplatéierung deposéiert, duerno annealéiert, an d'Cu Schicht gëtt duerch CMP geläscht. Schlussendlech gëtt d'RDL Rewiring Schicht duerch PVD Beschichtung Lithographie virbereet, an d'Passivatiounsschicht gëtt geformt nodeems de Klebstoff ewechgeholl gëtt.
(a) Virbereedung vu Wafer, (b) Bildung vun TGV, (c) Duebelsäiteg Elektroplätering - Oflagerung vu Kupfer, (d) Glühung a CMP chemesch-mechanesch Polieren, Entfernung vun der Uewerfläche Kupferschicht, (e) PVD Beschichtung a Lithographie , (f) Placement vun RDL rewiring Layer, (g) degluing an Cu / Ti etsing, (h) Formatioun vun passivation Layer.
Fir ze resuméieren,Glas duerch Lach (TGV)Uwendungsperspektive si breet, an den aktuelle Bannemaart ass an der steigender Stadium, vun Ausrüstung bis Produktdesign a Fuerschung an Entwécklung Wuesstumsquote ass méi héich wéi de weltwäiten Duerchschnëtt
Wann et Verletzung, Kontakt läschen
Post Zäit: Jul-16-2024