D'Entwécklung vun der nationaler GaN-Industrie gouf beschleunegt

D'Adoptioun vu Galliumnitrid (GaN)-Stroumversuergungsgeräter wiisst dramatesch, ugefouert vun de chinesesche Konsumentelektronik-Hiersteller, an de Maart fir GaN-Stroumversuergungsgeräter soll bis 2027 2 Milliarden Dollar erreechen, am Verglach zu 126 Milliounen Dollar am Joer 2021. Aktuell ass de Konsumentelektronik-Secteur den Haaptmotor vun der Adoptioun vu Galliumnitrid, an d'Agence prognostizéiert, datt d'Nofro fir GaN-Stroumversuergung um Konsumentelektronikmaart vun 79,6 Milliounen Dollar am Joer 2021 op 964,7 Milliounen Dollar am Joer 2027 wiisst, eng duerchschnëttlech jäerlech Wuestumsquote vu 52 Prozent.

GaN-Komponente weisen eng héich Stabilitéit, gutt Hëtztbeständegkeet, elektresch Leetfäegkeet a Wärmeofleedung. Am Verglach mat Siliziumkomponenten hunn GaN-Komponente eng méi héich Elektronendichte a Mobilitéit. GaN-Komponente ginn haaptsächlech um Maart fir Konsumentelektronik fir Schnellladung souwéi fir Kommunikatiouns- a Breitbandapplikatioune benotzt.

Brancheninsider soten, datt, obwuel de Maart fir Konsumentelektronik schwaach bleift, d'Aussichten fir GaN-Geräter positiv bleiwen. Fir de GaN-Maart hunn sech chinesesch Hiersteller an de Beräicher Substrat-, Epitaktik-, Design- a Kontraktproduktioun etabléiert. Déi zwee wichtegst Hiersteller am chinesesche GaN-Ökosystem sinn Innoseco a Xiamen SAN 'an IC.

Aner chinesesch Firmen am GaN-Secteur sinn de Substrathersteller Suzhou Nawei Technology Co., LTD., Dongguan Zhonggan Semiconductor Technology Co., LTD., den Epitaxie-Liwwerant Suzhou Jingzhan Semiconductor Co., LTD., Jiangsu Nenghua Microelectronics Technology Development Co., LTD., a Chengdu Haiwei Huaxin Technology Co., LTD.

Suzhou Nawei Technology engagéiert sech fir d'Fuerschung, d'Entwécklung an d'Industrialiséierung vum Galliumnitrid (GaN)-Eenkristallsubstrat, dem Kärmaterial vum Hallefleeder vun der drëtter Generatioun. No 10 Joer Ustrengungen huet Nawei Technology d'Produktioun vun engem 2-Zoll-Galliumnitrid-Eenkristallsubstrat realiséiert, d'Entwécklung vun der Ingenieurstechnologie vu 4-Zoll-Produkter ofgeschloss an d'Schlësseltechnologie vum 6-Zoll-Produkt duerchbrach. Elo ass et dat eenzegt a China an ee vun de wéinegen op der Welt, dat 2-Zoll-Galliumnitrid-Eenkristallprodukter a Groussmengen liwwere kann. De Galliumnitrid-Produktleistungsindex ass weltwäit féierend. An den nächsten 3 Joer wäerte mir eis drop konzentréieren, den Technologie-Firstmover-Virdeel an e globale Maartvirdeel ëmzewandelen.

Mat der Reife vun der GaN-Technologie wäerten hir Uwendungen sech vu Schnellladeprodukter fir Konsumentelektronik bis hin zu Stroumversuergunge fir PCs, Serveren an Fernsehgeräter ausdehnen. Si wäerten och wäit verbreet an Autoladegeräter a Konverter fir Elektroautoen agesat ginn.


Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 18. Abrëll 2023