Am 26th huet Power Cube Semi déi erfollegräich Entwécklung vum Südkorea's éischten 2300V SiC (Silicon Carbide) MOSFET Halbleiter ugekënnegt.
Am Verglach mat existéierende Si (Silicon) baséiert Hallefleit, kann SiC (Silicon Carbide) méi héich Spannungen widderstoen, dofir gëtt als den nächste Generatiounsapparat gefeiert, deen d'Zukunft vu Kraafthalbleiteren féiert. Et déngt als entscheedend Bestanddeel erfuerderlech fir d'Aféierung vun modernste Technologien, sou wéi d'Verbreedung vun elektresche Gefierer an d'Expansioun vun Datenzenteren gedriwwen duerch kënschtlech Intelligenz.
Power Cube Semi ass eng fabellos Firma déi Kraaft Halbleitergeräter an dräi Haaptkategorien entwéckelt: SiC (Silicon Carbide), Si (Silicon), a Ga2O3 (Galliumoxid). Viru kuerzem huet d'Firma Schottky Barrier Diodes (SBDs) mat héijer Kapazitéit applizéiert a verkaaft fir eng global elektresch Gefierfirma a China, fir Unerkennung fir säin Halbleiter Design an Technologie ze kréien.
D'Verëffentlechung vum 2300V SiC MOSFET ass bemierkenswäert als den éischten esou Entwécklungsfall a Südkorea. Infineon, eng global Power Semiconductor Firma baséiert an Däitschland, huet och de Start vun hirem 2000V Produkt am Mäerz ugekënnegt, awer ouni 2300V Produktopstellung.
Dem Infineon säin 2000V CoolSiC MOSFET, deen den TO-247PLUS-4-HCC Package benotzt, entsprécht der Nofro fir eng verstäerkte Kraaftdicht tëscht Designer, garantéiert d'Zouverlässegkeet vum System och ënner strenge Héichspannungs- a Schaltfrequenzbedéngungen.
De CoolSiC MOSFET bitt eng méi héich Gläichstroumverbindungsspannung, wat d'Muechterhéijung erlaabt ouni Stroum ze erhéijen. Et ass deen éischten diskreten Siliciumcarbid-Apparat um Maart mat enger Decomptespannung vun 2000V, benotzt den TO-247PLUS-4-HCC Package mat enger Kreepdistanz vu 14mm an enger Spannung vu 5.4mm. Dës Apparater weisen niddereg Schaltverloschter a si gëeegent fir Uwendungen wéi Solar String Inverter, Energiespeichersystemer, an elektresch Gefierer Opluedstatiounen.
D'CoolSiC MOSFET 2000V Produktserie ass gëeegent fir Héichspannungs DC Bussystemer bis 1500V DC. Am Verglach zum 1700V SiC MOSFET bitt dësen Apparat genuch Iwwerspannungsmarge fir 1500V DC Systemer. De CoolSiC MOSFET bitt eng 4.5V Schwellspannung a kënnt mat robuste Kierperdioden fir haart Kommutatioun ausgestatt. Mat .XT Verbindung Technologie, bidden dës Komponente excellent thermesch Leeschtung a staark Fiichtegkeet zréck.
Zousätzlech zum 2000V CoolSiC MOSFET, wäert Infineon geschwënn komplementär CoolSiC Dioden lancéieren, verpackt an TO-247PLUS 4-Pin an TO-247-2 Packagen am drëtten Véierel vun 2024 an de leschte Véierel vun 2024, respektiv. Dës Dioden si besonnesch gëeegent fir Solarapplikatiounen. Passende Gate Chauffer Produit Kombinatioune sinn och sinn.
D'CoolSiC MOSFET 2000V Produktserie ass elo um Maart verfügbar. Ausserdeem bitt Infineon gëeegent Evaluatiounsbrett: EVAL-COOLSIC-2KVHCC. D'Entwéckler kënnen dëse Board als präzis allgemeng Testplattform benotzen fir all CoolSiC MOSFETs an Dioden bewäert op 2000V ze evaluéieren, souwéi den EiceDRIVER kompakt Single-Channel Isolatioun Gate Driver 1ED31xx Produktserie duerch Dual-Puls oder kontinuéierlech PWM Operatioun.
De Gung Shin-soo, Chief Technology Officer vum Power Cube Semi, sot: "Mir konnten eis existent Erfahrung an der Entwécklung a Masseproduktioun vun 1700V SiC MOSFETs op 2300V verlängeren.
Post Zäit: Apr-08-2024