De 26. huet Power Cube Semi déi erfollegräich Entwécklung vum éischte südkoreanesche 2300V SiC (Siliziumkarbid) MOSFET-Hallefleeder bekannt ginn.
Am Verglach mat existente Si (Silizium)-baséierte Hallefleeder kann SiC (Siliziumkarbid) méi héije Spannungen aushalen, dofir gëtt et als den Apparat vun der nächster Generatioun gefeiert, deen d'Zukunft vun den Energiehallefleeder weist. Et déngt als entscheedend Komponent, déi fir d'Aféierung vun innovativen Technologien noutwendeg ass, wéi d'Verbreedung vun Elektroautoen an den Ausbau vun Datenzentren, déi duerch kënschtlech Intelligenz ugedriwwe ginn.
Power Cube Semi ass eng Fabless-Firma, déi Hallefleederkomponenten a Kraaft an dräi Haaptkategorien entwéckelt: SiC (Siliziumkarbid), Si (Silizium) a Ga2O3 (Galliumoxid). Viru kuerzem huet d'Firma Schottky-Barrièredioden (SBDs) mat héijer Kapazitéit un e weltwäit Elektroauto-Entreprise a China verkaaft, wouduerch si Unerkennung fir hiren Hallefleederdesign an -technologie krut.
D'Verëffentlechung vum 2300V SiC MOSFET ass bemierkenswäert als den éischte Fall vun dëser Entwécklung a Südkorea. Infineon, eng global Hallefleiterfirma mat Sëtz an Däitschland, huet och de Start vu sengem 2000V Produkt am Mäerz ugekënnegt, awer ouni eng 2300V Produktpalette.
Den 2000V CoolSiC MOSFET vun Infineon, deen de TO-247PLUS-4-HCC-Package benotzt, erfëllt d'Nofro no erhéichter Leeschtungsdicht vun den Designer a garantéiert d'Systemzouverlässegkeet och ënner strengen Héichspannungs- a Schaltfrequenzbedingungen.
De CoolSiC MOSFET bitt eng méi héich Gläichstroumverbindungsspannung, wat eng Leeschtungserhéijung ouni Erhéijung vum Stroum erméiglecht. Et ass den éischten diskrete Siliziumkarbid-Komponent um Maart mat enger Duerchschlagspannung vun 2000 V, deen den TO-247PLUS-4-HCC-Package mat enger Schleichdistanz vun 14 mm an engem Spillraum vu 5,4 mm benotzt. Dës Komponenten hunn niddreg Schaltverloschter a si gëeegent fir Uwendungen wéi Solar-String-Inverter, Energiespeichersystemer an d'Opluede vun Elektroautoen.
D'Produktserie CoolSiC MOSFET 2000V ass gëeegent fir Héichspannungs-DC-Bussystemer bis zu 1500V DC. Am Verglach mam 1700V SiC MOSFET bitt dësen Apparat eng genuch Iwwerspannungsmarge fir 1500V DC-Systemer. De CoolSiC MOSFET bitt eng Schwellspannung vu 4,5V an ass mat robuste Kierperdioden fir eng haart Kommutatioun ausgestatt. Mat der .XT-Verbindungstechnologie bidden dës Komponenten eng exzellent thermesch Leeschtung an eng staark Fiichtegkeetsbeständegkeet.
Nieft dem 2000V CoolSiC MOSFET wäert Infineon geschwënn komplementär CoolSiC-Dioden a Form vun TO-247PLUS 4-Pin- a TO-247-2-Packagen am drëtte respektiv leschte Quartal 2024 op de Maart bréngen. Dës Dioden si besonnesch gëeegent fir Solaranwendungen. Passend Gate-Driver-Produktkombinatioune sinn och verfügbar.
D'Produktserie CoolSiC MOSFET 2000V ass elo um Maart verfügbar. Ausserdeem bitt Infineon passend Evaluatiounsplatten un: EVAL-COOLSIC-2KVHCC. Entwéckler kënnen dës Platte als präzis allgemeng Testplattform benotzen, fir all CoolSiC MOSFETs an Dioden mat enger Bewäertung vun 2000V ze evaluéieren, souwéi d'Produktserie EiceDRIVER kompakt Eenkanal-Isolatiounsgatedriver 1ED31xx duerch Duebelpuls- oder kontinuéierleche PWM-Betrib.
De Gung Shin-soo, Chief Technology Officer vu Power Cube Semi, sot: "Mir konnten eis existent Erfahrung an der Entwécklung a Masseproduktioun vun 1700V SiC MOSFETs op 2300V ausbauen."
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 08. Abrëll 2024