Neiegkeeten
-
Uwendungen vu konduktiven a semi-isoléierte Siliziumkarbid-Substrater
De Siliziumkarbid-Substrat gëtt an halbisoléierend an leitfäeg Typ opgedeelt. Am Moment ass déi allgemeng Spezifikatioun vun halbisoléierte Siliziumkarbid-Substratprodukter 4 Zoll. Am leitfäege Siliziumkarbid-Ma...Liest méi -
Gëtt et och Ënnerscheeder an der Uwendung vu Saphirwaferen mat verschiddene Kristallorientéierungen?
Saphir ass en Eenzelkristall aus Aluminiumoxid, gehéiert zum dräideelege Kristallsystem, hexagonal Struktur, seng Kristallstruktur besteet aus dräi Sauerstoffatome an zwee Aluminiumatome an enger kovalenter Bindungsart, déi ganz enk ubruecht sinn, mat enger staarker Bindungskette an enger Gitterenergie, während seng Kristallstruktur ...Liest méi -
Wat ass den Ënnerscheed tëscht engem leitfäege SiC-Substrat an engem hallef-isoléierte Substrat?
En SiC-Siliziumkarbid-Apparat bezitt sech op en Apparat, deen aus Siliziumkarbid als Rohmaterial hiergestallt gëtt. No de verschiddene Widderstandseigenschaften ass en a leetfäeg Siliziumkarbid-Energieapparater an halbisoléiert Siliziumkarbid-RF-Apparater opgedeelt. D'Haaptformen an d'Form vun den Apparater...Liest méi -
En Artikel féiert Iech zu engem Meeschter vum TGV
Wat ass TGV? TGV, (Through-Glass Via), ass eng Technologie fir Duerchgäng op engem Glassubstrat ze kreéieren. Einfach ausgedréckt ass TGV en Héichhaus, dat d'Glas stänzt, fëllt a verbënnt, fir integréiert Schaltungen op der Glasfläch ze bauen...Liest méi -
Wat sinn d'Indikatoren fir d'Evaluatioun vun der Waferuewerflächqualitéit?
Mat der kontinuéierlecher Entwécklung vun der Hallefleitertechnologie, an der Hallefleiterindustrie a souguer an der Photovoltaikindustrie, sinn d'Ufuerderunge fir d'Uewerflächenqualitéit vum Wafersubstrat oder der epitaktischer Plack och ganz streng. Also, wat sinn d'Qualitéitsufuerderunge fir...Liest méi -
Wéi vill wësst Dir iwwer de Prozess vun der SiC-Eenkristallwuesstum?
Siliziumkarbid (SiC), als eng Aart Hallefleedermaterial mat breeder Bandlück, spillt eng ëmmer méi wichteg Roll an der Uwendung vun der moderner Wëssenschaft an Technologie. Siliziumkarbid huet eng exzellent thermesch Stabilitéit, eng héich elektresch Feldtoleranz, eng bewosst Konduktivitéit an ...Liest méi -
Den Duerchbroch vun den nationale SiC-Substrater
An de leschte Joren, mat der kontinuéierlecher Penetratioun vun Downstream-Applikatiounen wéi nei Energiefahrzeugen, photovoltaesch Energieerzeugung an Energiespeicher, spillt SiC, als neit Hallefleitermaterial, eng wichteg Roll an dëse Beräicher. Laut...Liest méi -
SiC MOSFET, 2300 Volt.
Den 26. huet Power Cube Semi déi erfollegräich Entwécklung vum éischte südkoreanesche SiC (Siliziumkarbid) MOSFET-Hallefleeder mat 2300V ugekënnegt. Am Verglach mat existente Si (Silizium)-baséierte Hallefleeder kann SiC (Siliziumkarbid) méi héije Spannungen aushalen, dofir gëtt en als ... gefeiert.Liest méi -
Ass d'Erhuelung vun den Hallefleeder just eng Illusioun?
Vun 2021 bis 2022 gouf et e séiere Wuesstem um globale Hallefleedermaart wéinst dem Entstoe vu spezielle Bedierfnesser, déi duerch den COVID-19-Ausbroch entstane sinn. Wéi awer déi speziell Bedierfnesser, déi duerch d'COVID-19-Pandemie verursaacht goufen, an der zweeter Hallschent vum Joer 2022 opgehalen hunn an an ...Liest méi -
Am Joer 2024 sinn d'Investitiounsausgaben am Beräich vun der Hallefleederindustrie erofgaang.
Mëttwochs huet de President Biden en Accord ugekënnegt, fir Intel 8,5 Milliarden Dollar u direkter Finanzéierung an 11 Milliarden Dollar u Prêten am Kader vum CHIPS and Science Act ze ginn. Intel wäert dës Finanzéierung fir seng Waferfabriken an Arizona, Ohio, New Mexico an Oregon benotzen. Wéi an eisem...Liest méi -
Wat ass eng SiC-Wafer?
SiC-Wafers si Hallefleeder aus Siliziumkarbid. Dëst Material gouf 1893 entwéckelt an ass ideal fir eng Villfalt vun Uwendungen. Besonnesch gëeegent fir Schottky-Dioden, Junction Barrier Schottky-Dioden, Schalter a Metall-Oxid-Hallefleeder-Feldeffekt-Transis...Liest méi -
Déifgräifend Interpretatioun vum Hallefleeder vun der drëtter Generatioun - Siliziumkarbid
Aféierung an Siliziumkarbid Siliziumkarbid (SiC) ass e verbonnent Hallefleedermaterial, dat aus Kuelestoff a Silizium besteet, an ee vun den ideale Materialien fir d'Fabrikatioun vun Héichtemperatur-, Héichfrequenz-, Héichleistungs- an Héichspannungsgeräter ass. Am Verglach mat den traditionellen ...Liest méi