Neiegkeeten
-
Wiesselt Hëtztofleedungsmaterialien! D'Nofro fir Siliziumcarbid-Substrater wäert explodéieren!
Inhaltsverzeechnes 1. Hëtzofléisungs-Engpässe an KI-Chips an den Duerchbroch vu Siliziumcarbidmaterialien 2. Charakteristiken an technesch Virdeeler vu Siliziumcarbidsubstrater 3. Strategesch Pläng a gemeinsam Entwécklung vun NVIDIA an TSMC 4. Ëmsetzungswee a wichteg technesch...Liest méi -
Groussen Duerchbroch an der 12-Zoll Siliziumkarbid-Wafer-Laser-Lift-Off-Technologie
Inhaltsverzeechnes 1. Groussen Duerchbroch an der 12-Zoll Siliziumkarbid-Wafer-Laser-Lift-Off-Technologie 2. Villfälteg Bedeitunge vum technologeschen Duerchbroch fir d'Entwécklung vun der SiC-Industrie 3. Zukunftsperspektiven: Déi ëmfaassend Entwécklung an d'Zesummenaarbecht an der Industrie vum XKH Viru kuerzem,...Liest méi -
Titel: Wat ass FOUP an der Chipproduktioun?
Inhaltsverzeechnes 1. Iwwersiicht a Kärfunktioune vum FOUP 2. Struktur an Designmerkmale vum FOUP 3. Klassifikatioun a Richtlinne fir d'Applikatioun vum FOUP 4. Operatiounen a Wichtegkeet vum FOUP an der Hallefleiterproduktioun 5. Technesch Erausfuerderungen an zukünfteg Entwécklungstrends 6. XKH seng Clienten...Liest méi -
Waferreinigungstechnologie an der Hallefleiterproduktioun
Waferreinigungstechnologie an der Hallefleiterproduktioun D'Waferreinigung ass e wichtege Schrëtt am ganze Hallefleiterproduktiounsprozess an ee vun de Schlësselfaktoren, déi direkt d'Leeschtung vum Apparat an d'Produktiounsertrag beaflossen. Wärend der Chipfabrikatioun kann och déi klengst Kontaminatioun ...Liest méi -
Technologien fir d'Reinigung vu Waferen an technesch Dokumentatioun
Inhaltsverzeechnes 1. Kärziler a Wichtegkeet vun der Waferreinigung 2. Kontaminatiounsbeurteilung an fortgeschratt analytesch Techniken 3. Fortgeschratt Reinigungsmethoden an technesch Prinzipien 4. Technesch Ëmsetzung a Prozesskontroll Essentials 5. Zukünfteg Trends an innovativ Richtungen 6. X...Liest méi -
Frësch gewuess Eenzelkristaller
Eenzelkristaller si rar an der Natur, an och wann se optrieden, si se meeschtens ganz kleng - typescherweis op der Millimeterskala (mm) - a schwéier ze kréien. Déi bekannt Diamanten, Smaragder, Agaten, etc. kommen normalerweis net op de Maart, nach manner an industriellen Uwendungen; déi meescht ginn ausgestallt ...Liest méi -
De gréisste Keefer vun héichreinegem Aluminiumoxid: Wéi vill wësst Dir iwwer Saphir?
Saphirkristaller gi vun héichreinegem Aluminiumoxidpulver mat enger Rengheet vun >99,995% ugebaut, wat se zu der gréisster Nofro fir héichreinegem Aluminiumoxid mécht. Si weisen eng héich Festigkeit, eng héich Häert a stabil chemesch Eegeschaften, wat et hinnen erméiglecht, a rauen Ëmfeld wéi héijen Temperaturen ze funktionéieren...Liest méi -
Wat bedeiten TTV, BOW, WARP an TIR a Waferen?
Wann een Hallefleeder-Siliciumwaferen oder Substrater aus anere Materialien ënnersicht, stousse mer dacks op technesch Indikatoren wéi: TTV, BOW, WARP, a méiglecherweis TIR, STIR, LTV, ënner anerem. Wéi eng Parameter representéieren dës? TTV — Total Thickness Variation BOW — Bow WARP — Warp TIR — ...Liest méi -
Schlësselrohmaterialien fir d'Hallefleiterproduktioun: Aarte vu Wafersubstrater
Wafersubstrater als Schlësselmaterialien an Hallefleiterkomponenten Wafersubstrater sinn déi physikalesch Träger vun Hallefleiterkomponenten, an hir Materialeegeschafte bestëmmen direkt d'Leeschtung, d'Käschten an d'Uwendungsfelder vum Apparat. Hei drënner sinn déi Haaptzorte vu Wafersubstrater zesumme mat hire Virdeeler...Liest méi -
Héichpräzis Laserschneidausrüstung fir 8-Zoll SiC-Waferen: Déi zentral Technologie fir d'Zukunft vun der SiC-Waferveraarbechtung
Siliziumkarbid (SiC) ass net nëmmen eng kritesch Technologie fir d'national Verteidegung, mä och e wichtegt Material fir déi global Automobil- an Energieindustrie. Als éischte kritesche Schrëtt an der SiC-Eenkristallveraarbechtung bestëmmt d'Waferschneiden direkt d'Qualitéit vun der spéiderer Verdënnung a Polierung. Tr...Liest méi -
Optesch Siliziumkarbid-Wellenleiter-AR-Glieser: Virbereedung vun héichreinege Hallefisolatiounssubstrater
Virum Hannergrond vun der KI-Revolutioun kommen AR-Brëllen lues a lues an d'ëffentlech Bewosstsinn. Als e Paradigma, dat virtuell a real Welten nahtlos vermëscht, ënnerscheede sech AR-Brëllen vun VR-Geräter doduerch, datt se et de Benotzer erlaben, souwuel digital projetéiert Biller wéi och Ëmweltliicht gläichzäiteg ze gesinn...Liest méi -
Heteroepitaxialt Wuesstum vu 3C-SiC op Siliziumsubstrater mat verschiddenen Orientéierungen
1. Aféierung Trotz Joerzéngte vun der Fuerschung huet heteroepitaxial 3C-SiC, déi op Siliziumsubstrater ugebaut gouf, nach net genuch Kristallqualitéit fir industriell elektronesch Uwendungen erreecht. D'Wuesstum gëtt typescherweis op Si(100)- oder Si(111)-Substrater duerchgefouert, déi all eenzel Erausfuerderunge mat sech bréngen: Antiphas ...Liest méi