Neiegkeeten
-
Dënnfilm-Lithiumtantalat (LTOI): Dat nächst Stärmaterial fir Héichgeschwindegkeetsmodulatoren?
Dënnfilm-Lithiumtantalat (LTOI)-Material entwéckelt sech als eng bedeitend nei Kraaft am Beräich vun der integréierter Optik. Dëst Joer goufen e puer héichwäerteg Aarbechten iwwer LTOI-Modulatoren publizéiert, mat héichwäertegen LTOI-Waferen, déi vum Professer Xin Ou vum Shanghai Ins... geliwwert goufen.Liest méi -
Déift Verständnis vum SPC-System an der Waferherstellung
SPC (Statistesch Prozesskontroll) ass e wichtegt Instrument am Waferherstellungsprozess, dat benotzt gëtt fir d'Stabilitéit vu verschiddene Phasen an der Fabrikatioun ze iwwerwaachen, ze kontrolléieren an ze verbesseren. 1. Iwwersiicht vum SPC-System SPC ass eng Method déi statesch Prozesser benotzt...Liest méi -
Firwat gëtt Epitaxie op engem Wafer-Substrat duerchgefouert?
D'Zousatz vun enger zousätzlecher Schicht Siliziumatome op engem Siliziumwafer-Substrat huet verschidde Virdeeler: Bei CMOS-Siliziumprozesser ass epitaktesch Wuesstem (EPI) um Wafer-Substrat e kritesche Prozessschrëtt. 1. Verbesserung vun der Kristallqualitéit...Liest méi -
Prinzipien, Prozesser, Methoden an Ausrüstung fir d'Wafferreinigung
Naassreinigung (Wet Clean) ass ee vun de kritesche Schrëtt an der Hallefleederherstellung, deen drop ausgerichtet ass, verschidde Kontaminanten vun der Uewerfläch vum Wafer ze entfernen, fir sécherzestellen, datt déi spéider Prozessschrëtt op enger propperer Uewerfläch duerchgefouert kënne ginn. ...Liest méi -
D'Bezéiung tëscht Kristallebenen an der Kristallorientéierung.
Kristallebenen a Kristallorientéierung sinn zwee Kärkonzepter an der Kristallographie, déi enk mat der Kristallstruktur an der Silizium-baséierter integréierter Schaltungstechnologie verbonne sinn. 1. Definitioun an Eegeschafte vun der Kristallorientéierung D'Kristallorientéierung representéiert eng spezifesch Richtung...Liest méi -
Wat sinn d'Virdeeler vun Through Glass Via (TGV) an Through Silicon Via, TSV (TSV) Prozesser am Verglach mat TGV?
D'Virdeeler vun Through Glass Via (TGV) an Through Silicon Via (TSV) Prozesser am Verglach mat TGV sinn haaptsächlech: (1) exzellent Héichfrequenz elektresch Charakteristiken. Glasmaterial ass en Isolatiounsmaterial, d'Dielektrizitéitskonstant ass nëmmen ongeféier 1/3 vun där vum Siliziummaterial, an de Verloschtfaktor ass 2-...Liest méi -
Uwendungen vu konduktiven a semi-isoléierte Siliziumkarbid-Substrater
De Siliziumkarbid-Substrat gëtt an halbisoléierend an leitfäeg Typ opgedeelt. Am Moment ass déi allgemeng Spezifikatioun vun halbisoléierte Siliziumkarbid-Substratprodukter 4 Zoll. Am leitfäege Siliziumkarbid-Ma...Liest méi -
Gëtt et och Ënnerscheeder an der Uwendung vu Saphirwaferen mat verschiddene Kristallorientéierungen?
Saphir ass en Eenzelkristall aus Aluminiumoxid, gehéiert zum dräideelege Kristallsystem, hexagonal Struktur, seng Kristallstruktur besteet aus dräi Sauerstoffatome an zwee Aluminiumatome an enger kovalenter Bindungsart, déi ganz enk ubruecht sinn, mat enger staarker Bindungskette an enger Gitterenergie, während seng Kristallstruktur ...Liest méi -
Wat ass den Ënnerscheed tëscht engem leitfäege SiC-Substrat an engem hallef-isoléierte Substrat?
En SiC-Siliziumkarbid-Apparat bezitt sech op en Apparat, deen aus Siliziumkarbid als Rohmaterial hiergestallt gëtt. No de verschiddene Widderstandseigenschaften ass en a leetfäeg Siliziumkarbid-Energieapparater an halbisoléiert Siliziumkarbid-RF-Apparater opgedeelt. D'Haaptformen an d'Form vun den Apparater...Liest méi -
En Artikel féiert Iech zu engem Meeschter vum TGV
Wat ass TGV? TGV, (Through-Glass Via), ass eng Technologie fir Duerchgäng op engem Glassubstrat ze kreéieren. Einfach ausgedréckt ass TGV en Héichhaus, dat d'Glas stänzt, fëllt a verbënnt, fir integréiert Schaltungen op der Glasfläch ze bauen...Liest méi -
Wat sinn d'Indikatoren fir d'Evaluatioun vun der Waferuewerflächqualitéit?
Mat der kontinuéierlecher Entwécklung vun der Hallefleitertechnologie, an der Hallefleiterindustrie a souguer an der Photovoltaikindustrie, sinn d'Ufuerderunge fir d'Uewerflächenqualitéit vum Wafersubstrat oder der epitaktischer Plack och ganz streng. Also, wat sinn d'Qualitéitsufuerderunge fir...Liest méi -
Wéi vill wësst Dir iwwer de Prozess vun der SiC-Eenkristallwuesstum?
Siliziumkarbid (SiC), als eng Aart Hallefleedermaterial mat breeder Bandlück, spillt eng ëmmer méi wichteg Roll an der Uwendung vun der moderner Wëssenschaft an Technologie. Siliziumkarbid huet eng exzellent thermesch Stabilitéit, eng héich elektresch Feldtoleranz, eng bewosst Konduktivitéit an ...Liest méi