Groussen Duerchbroch an der 12-Zoll Siliziumkarbid-Wafer-Laser-Lift-Off-Technologie

Inhaltsverzeechnes

1. Groussen Duerchbroch an der 12-Zoll Siliziumkarbid-Wafer-Laser-Lift-Off-Technologie

2. Villfälteg Bedeitunge vum technologeschen Duerchbroch fir d'Entwécklung vun der SiC-Industrie

3. Zukunftsperspektiven: Déi ëmfaassend Entwécklung an d'Zesummenaarbecht mat der Industrie vum XKH

Viru kuerzem huet d'Beijing Jingfei Semiconductor Technology Co., Ltd., e féierende Produzent vu Hallefleederausrüstung am Inland, e bedeitenden Duerchbroch an der Technologie fir d'Veraarbechtung vu Siliziumkarbid (SiC)-Wafer gemaach. D'Firma huet et erfollegräich fäerdeg bruecht, 12-Zoll-Siliziumkarbid-Wafers mat hirem onofhängeg entwéckelte Laser-Lift-off-Ausrüstung ze produzéieren. Dësen Duerchbroch markéiert e wichtege Schrëtt fir China am Beräich vun der drëtter Generatioun vun Hallefleeder-Schlësselproduktiounsausrüstung a bitt eng nei Léisung fir Käschtereduktioun an Effizienzverbesserung an der globaler Siliziumkarbidindustrie. Dës Technologie gouf virdru vu ville Clienten am Beräich vun 6/8-Zoll-Siliziumkarbid validéiert, woubäi d'Leeschtung vun der Ausrüstung international fortgeschratt Niveauen erreecht huet.

Dësen technologeschen Duerchbroch huet verschidde Bedeitunge fir d'Entwécklung vun der Siliziumcarbidindustrie, dorënner:

1. ​​Bedeitend Reduktioun vun de Produktiounskäschten:Am Verglach mat de Mainstream 6-Zoll Siliziumcarbid-Wafers erhéijen déi 12-Zoll Siliziumcarbid-Wafers déi verfügbar Fläch ëm ongeféier véiermol, wouduerch d'Käschte pro Chip-Eenheet ëm 30%-40% reduzéiert ginn.

2. ​​Verbessert Versuergungskapazitéit vun der Industrie:Et adresséiert déi technesch Engpässe bei der Veraarbechtung vu grousse Siliziumcarbid-Wafer a bitt Ausrüstungsënnerstëtzung fir déi global Expansioun vun der Siliziumcarbid-Produktiounskapazitéit.

3. ​​Beschleunegte Lokaliséierungsersatzprozess:Et brécht den technologesche Monopol vun auslännesche Firmen am Beräich vun de grousse Siliziumcarbid-Veraarbechtungsausrüstung a bitt wichteg Ënnerstëtzung fir déi autonom a kontrolléierbar Entwécklung vu chinesesche Hallefleederausrüstung.

4. ​​Fërderung vun der Populariséierung vun Downstream-Applikatiounen:Käschtereduktioun wäert d'Uwendung vu Siliziumkarbid-Komponenten a Schlësselberäicher wéi nei Energiegefierer an erneierbar Energien beschleunegen.

Beijing Jingfei Semiconductor Technology Co., Ltd. ass eng Entreprise vum Chinese Academy of Sciences Institute of Semiconductors, déi sech op d'Fuerschung an d'Entwécklung, d'Produktioun an de Verkaf vu spezialiséierter Hallefleederausrüstung konzentréiert. Mat der Laserapplikatiounstechnologie am Kär huet d'Firma eng Serie vun Hallefleederveraarbechtungsausrüstung mat onofhängege geeschtegen Eegentumsrechter entwéckelt, déi grouss inlännesch Clienten am Beräich vun der Hallefleederproduktioun bedéngt.

De CEO vu Jingfei Semiconductor sot: „Mir halen eis ëmmer un technologesch Innovatiounen, fir den industrielle Fortschrëtt ze fërderen. Déi erfollegräich Entwécklung vun der 12-Zoll Siliziumkarbid-Laser-Lift-off-Technologie spigelt net nëmmen d'technesch Fäegkeeten vun der Firma erëm, mä profitéiert och vun der staarker Ënnerstëtzung vun der Beijing Municipal Science and Technology Commission, dem Chinese Academy of Sciences Institute of Semiconductors an dem wichtege Spezialprojet 'Disruptive Technological Innovation', dee vum Beijing-Tianjin-Hebei National Technological Innovation Center organiséiert an ëmgesat gouf. An Zukunft wäerte mir weiderhin d'Fuerschungs- an Entwécklungsinvestitioune erhéijen, fir de Clienten méi héichwäerteg Hallefleederausrüstungsléisungen ze bidden.“

Conclusioun

Mat Bléck op d'Zukunft wäert XKH säi komplette Produktportfolio vu Siliziumkarbid-Substrater (mat enger Dicht vun 2 bis 12 Zoll mat Bonding- a personaliséierte Veraarbechtungsméiglechkeeten) a seng Multimaterialtechnologie (dorënner 4H-N, 4H-SEMI, 4H-6H/P, 3C-N, etc.) notzen, fir aktiv op déi technologesch Evolutioun an d'Maartännerungen an der SiC-Industrie anzegoen. Duerch d'kontinuéierlech Verbesserung vun der Wafer-Ausbezuelung, d'Reduktioun vun de Produktiounskäschten an d'Verdéiwen vun der Zesummenaarbecht mat den Hiersteller vu Hallefleederausrüstung an Endclienten engagéiert sech XKH fir héich performant a zouverlässeg Substratléisunge fir global nei Energie-, Héichspannungselektronik- an Héichtemperaturindustrie-Applikatiounen ze bidden. Mir zielen drop of, eise Clienten ze hëllefen, technesch Barrièren ze iwwerwannen an eng skalierbar Verbreedung z'erreechen, andeems mir eis als vertrauenswürdege Kärmaterialpartner an der SiC-Wäertkette positionéieren.