De Siliziumkarbidsubstrat ass an hallefisoléierend Typ a konduktiv Typ opgedeelt. Am Moment ass d'Mainstream Spezifikatioun vun semi-isoléierten Siliziumkarbid Substratprodukter 4 Zoll. Am konduktiven Siliziumkarbidmaart ass déi aktuell Mainstream Substratprodukt Spezifikatioun 6 Zoll.
Wéinst Downstream Uwendungen am RF Feld, semi-isoléiert SiC Substrater an epitaxial Materialien ënnerleien der Exportkontrolle vum US Department of Commerce. Semi-isoléiert SiC als Substrat ass dat bevorzugt Material fir GaN Heteroepitaxy an huet wichteg Uwendungsperspektiven am Mikrowellefeld. Am Verglach mam Kristallmëssmatch vu Saphir 14% a Si 16,9% ass de Kristallmëssmatch vu SiC a GaN Materialien nëmmen 3,4%. Gekoppelt mat der ultra-héicher thermescher Konduktivitéit vu SiC, Déi héich Energieeffizienz LED a GaN Héichfrequenz an Héichkraaft Mikrowellengeräter, déi vun et virbereet sinn, hu grouss Virdeeler am Radar, High Power Mikrowellenausrüstung a 5G Kommunikatiounssystemer.
D'Fuerschung an d'Entwécklung vum semi-isoléierte SiC-Substrat war ëmmer de Fokus vun der Fuerschung an der Entwécklung vum SiC-Eenkristall-Substrat. Et ginn zwou Haaptschwieregkeeten beim wuessen semi-isoléierte SiC Materialien:
1) Reduzéieren d'N Donor Gëftstoffer agefouert duerch GRAPHITE Crucible, thermesch Isolatioun Adsorptioun an Doping am Pudder;
2) Wärend d'Qualitéit an d'elektresch Eegeschafte vum Kristall assuréiert, gëtt e Tiefniveauzentrum agefouert fir déi verbleiwen flaache Niveau Gëftstoffer mat elektrescher Aktivitéit ze kompenséieren.
Am Moment sinn d'Fabrikanten mat semi-isoléierten SiC Produktiounskapazitéit haaptsächlech SICC Co, Semisic Crystal Co, Tanke Blue Co, Hebei Synlight Crystal Co., Ltd.
De konduktiven SiC Kristall gëtt erreecht andeems Stickstoff an d'wuessend Atmosphär injizéiert gëtt. Conductive Silicon Carbide Substrat ass haaptsächlech an der Fabrikatioun vun Muecht Apparater benotzt, Silicon Carbide Muecht Apparater mat héich Volt, héich aktuell, héich Temperatur, héich Frequenz, niddereg Verloscht an aner eenzegaarteg Virdeeler, wäert vill verbesseren der bestehend Notzung vun Silicon baséiert Muecht Apparater Energie Konversiounseffizienz, huet e wesentlechen a wäitreegende Impakt op d'Beräich vun der effizienter Energiekonversioun. D'Haaptapplikatiounsberäicher sinn elektresch Gefierer / Opluedstécker, Photovoltaik nei Energie, Schinnentransit, Smart Grid a sou weider. Well de Downstream vu konduktiven Produkter haaptsächlech Kraaftapparater an elektresche Gefierer, Photovoltaik an aner Felder sinn, ass d'Applikatiounsperspektiv méi breet, an d'Fabrikanten si méi vill.
Siliziumkarbid Kristalltyp: Déi typesch Struktur vum beschten 4H kristallinem Siliziumkarbid kann an zwou Kategorien opgedeelt ginn, eng ass d'kubesch Siliziumkarbidkristallart vun der Sphaleritstruktur, bekannt als 3C-SiC oder β-SiC, an déi aner ass de sechseckegen oder Diamant Struktur vun der grousser Period Struktur, déi typesch vun 6H-SiC ass, 4H-sic, 15R-SiC, etc., kollektiv bekannt als α-SiC. 3C-SiC huet de Virdeel vun héich Resistivitéit an Fabrikatioun Apparater. Wéi och ëmmer, den héije Mëssmatch tëscht Si a SiC Gitterkonstanten an thermesch Expansiounskoeffizienten kann zu enger grousser Zuel vu Mängel an der 3C-SiC epitaxialer Schicht féieren. 4H-SiC huet e grousst Potenzial bei der Fabrikatioun vu MOSFETs, well säi Kristallwachstum an Epitaxialschichtwachstumsprozesser méi excellent sinn, a wat d'Elektronenmobilitéit ugeet, ass 4H-SiC méi héich wéi 3C-SiC a 6H-SiC, wat besser Mikrowelleeigenschaften fir 4H ubitt. -SiC MOSFETs.
Wann et Verletzung, Kontakt läschen
Post Zäit: Jul-16-2024