Neiegkeeten
-
Héichpräzis Laserschneidausrüstung fir 8-Zoll SiC-Waferen: Déi zentral Technologie fir d'Zukunft vun der SiC-Waferveraarbechtung
Siliziumkarbid (SiC) ass net nëmmen eng kritesch Technologie fir d'national Verteidegung, mä och e wichtegt Material fir déi global Automobil- an Energieindustrie. Als éischte kritesche Schrëtt an der SiC-Eenkristallveraarbechtung bestëmmt d'Waferschneiden direkt d'Qualitéit vun der spéiderer Verdënnung a Polierung. Tr...Liest méi -
Optesch Siliziumkarbid-Wellenleiter-AR-Glieser: Virbereedung vun héichreinege Hallefisolatiounssubstrater
Virum Hannergrond vun der KI-Revolutioun kommen AR-Brëllen lues a lues an d'ëffentlech Bewosstsinn. Als e Paradigma, dat virtuell a real Welten nahtlos vermëscht, ënnerscheede sech AR-Brëllen vun VR-Geräter andeems se et de Benotzer erlaben, souwuel digital projetéiert Biller wéi och Ëmweltliicht ze gesinn ...Liest méi -
Heteroepitaxialt Wuesstum vu 3C-SiC op Siliziumsubstrater mat verschiddenen Orientéierungen
1. Aféierung Trotz Joerzéngte vun der Fuerschung huet heteroepitaxial 3C-SiC, déi op Siliziumsubstrater ugebaut gouf, nach net genuch Kristallqualitéit fir industriell elektronesch Uwendungen erreecht. D'Wuesstum gëtt typescherweis op Si(100)- oder Si(111)-Substrater duerchgefouert, déi all eenzel Erausfuerderunge mat sech bréngen: Antiphasend...Liest méi -
Siliziumkarbidkeramik vs. Halbleiter Siliziumkarbid: Dat selwecht Material mat zwou verschiddene Schicksaler
Siliziumkarbid (SiC) ass eng bemierkenswäert Verbindung, déi souwuel an der Hallefleederindustrie wéi och an fortgeschrattene Keramikprodukter fonnt ka ginn. Dëst féiert dacks zu Duercherneen bei Laien, déi se mat dem selwechte Produkt verwiessele kënnen. Tatsächlech, obwuel se déiselwecht chemesch Zesummesetzung hunn, manifestéiert sech SiC...Liest méi -
Fortschrëtter an den Technologien fir d'Virbereedung vu Siliziumcarbid-Keramik mat héijer Rengheet
Héichreine Siliziumkarbid (SiC) Keramik huet sech als ideal Material fir kritesch Komponenten an der Hallefleeder-, Loftfaart- a chemescher Industrie erausgestallt wéinst hirer aussergewéinlecher Wärmeleitfäegkeet, chemescher Stabilitéit a mechanescher Stäerkt. Mat der wuessender Nofro fir héich performant, niddregpolar...Liest méi -
Technesch Prinzipien a Prozesser vun LED Epitakzialwaferen
Aus dem Funktionsprinzip vun LEDs geet ervir, datt den epitaktischen Wafermaterial den Haaptkomponent vun enger LED ass. Tatsächlech ginn déi wichtegst optoelektronesch Parameter wéi Wellelängt, Hellegkeet a Virspannung gréisstendeels vum epitaktischen Material bestëmmt. Epitaktesch Wafertechnologie an Ausrüstung...Liest méi -
Schlëssel Iwwerleeunge fir d'Virbereedung vun engem héichwäertege Siliziumcarbid-Eenkristall
Déi wichtegst Methode fir d'Virbereedung vu Silizium-Eenkristaller sinn: Physikaleschen Damptransport (PVT), Top-Seeded Solution Growth (TSSG) an High-Temperature Chemical Vapor Deposition (HT-CVD). Dorënner ass d'PVT-Method wäit verbreet an der industrieller Produktioun wéinst hirer einfacher Ausrüstung, einfacher ...Liest méi -
Lithiumniobat op Isolator (LNOI): D'Fërderung vun der Entwécklung vu photoneschen integréierte Schaltungen
Aféierung Inspiréiert vum Erfolleg vun elektroneschen integréierte Schaltungen (EICs), huet sech de Beräich vun de photoneschen integréierte Schaltungen (PICs) zënter senger Grënnung am Joer 1969 weiderentwéckelt. Am Géigesaz zu EICs bleift awer d'Entwécklung vun enger universeller Plattform, déi divers photonesch Uwendungen ënnerstëtze kann, ...Liest méi -
Schlëssel Iwwerleeunge fir d'Produktioun vun héichwäertege Siliziumcarbid (SiC) Eenzelkristaller
Schlëssel Iwwerleeunge fir d'Produktioun vun héichwäertege Siliziumcarbid (SiC) Eenzelkristaller Déi wichtegst Methode fir de Wuesstum vu Siliziumcarbid Eenzelkristaller sinn de physikalesche Vapor Transport (PVT), Top-Seeded Solution Growth (TSSG) an High-Temperature Chemic...Liest méi -
LED Epitaxial Wafer Technologie vun der nächster Generatioun: D'Zukunft vun der Beliichtung gëtt ugedriwwen
LEDs beliichten eis Welt, an am Häerz vun all High-Performance LED läit den epitaktischen Wafer - eng kritesch Komponent, déi seng Hellegkeet, Faarf an Effizienz definéiert. Indem d'Wëssenschaft vum epitaktischen Wuesstum beherrscht gëtt, ...Liest méi -
D'Enn vun enger Ära? De Wolfspeed Insolvenz ännert d'SiC-Landschaft
Wolfspeed Konkurs signaliséiert e wichtege Wendepunkt fir d'SiC-Hallefleederindustrie Wolfspeed, e laangjärege Leader an der Siliziumkarbid (SiC) Technologie, huet dës Woch Konkurs ugemellt, wat e bedeitende Wandel an der globaler SiC-Hallefleederlandschaft markéiert. D'Firma...Liest méi -
Ëmfangräich Analyse vun der Spannungsbildung a geschmolzenem Quarz: Ursaachen, Mechanismen an Effekter
1. Thermesch Belaaschtung beim Ofkillen (Haaptursaach) Geschmolzene Quarz generéiert Spannung ënner net-uniformen Temperaturbedingungen. Bei all Temperatur erreecht d'Atomstruktur vum geschmolzene Quarz eng relativ "optimal" raimlech Konfiguratioun. Wann d'Temperatur ännert, atomar...Liest méi