Siliziumkarbid-Keramik-Chuck fir SiC-Saphir-Si GAA-Wafer

Kuerz Beschreiwung:

De Siliziumkarbid-Keramikfutter ass eng héichleistungsfäeg Plattform, déi fir Hallefleederinspektioun, Waferfabrikatioun a Bonding-Applikatioune konstruéiert ass. Gebaut mat fortgeschrattene Keramikmaterialien - dorënner gesintert SiC (SSiC), reaktiounsgebonnent SiC (RSiC), Siliziumnitrid an Aluminiumnitrid - bitt en eng héich Steifheet, eng niddreg thermesch Expansioun, exzellent Verschleißbeständegkeet a laang Liewensdauer.

Schéckt eis eng E-Mail

Fonctiounen

Detailéiert Diagramm

Iwwersiicht iwwer Siliziumkarbid (SiC) Keramikfutter

DenSiliziumkarbid Keramikfutterass eng héich performant Plattform, déi fir Hallefleederinspektioun, Waferfabrikatioun a Bonding-Applikatioune konzipéiert ass. Gebaut mat fortgeschrattene Keramikmaterialien - dorënnergesintert SiC (SSiC), Reaktiounsgebonnen SiC (RSiC), Siliziumnitrid, anAluminiumnitrid— et bitthéich Steifheet, niddreg thermesch Expansioun, exzellent Verschleißbeständegkeet a laang Liewensdauer.

Mat Präzisiounstechnik a modernster Polierung liwwert de SpannfutterSubmikron-Flaachheet, Spigelqualitéitsoberflächen a laangfristeg Dimensiounsstabilitéitdoduerch ass et déi ideal Léisung fir kritesch Hallefleiterprozesser.

Schlësselvirdeeler

Héich Präzisioun
Flaachheet kontrolléiert bannen0,3–0,5 μm, wat d'Waferstabilitéit an eng konsequent Prozessgenauegkeet garantéiert.
Spigelpoléierung
ErreechtRa 0,02 μmUewerflächenrauhheet, Minimiséierung vu Kratzer a Kontaminatioun op Wafers – perfekt fir ultra-propper Ëmfeld.
Ultra-Liicht
Méi staark awer méi liicht wéi Quarz- oder Metallsubstrater, wat d'Bewegungskontroll, d'Reaktiounsfäegkeet an d'Positionéierungsgenauegkeet verbessert.
Héich Steifheet
Den aussergewéinleche Young-Modul garantéiert dimensional Stabilitéit ënner schwéiere Belaaschtungen a bei héijer Geschwindegkeet.
Niddreg thermesch Expansioun
CTE passt gutt mat Siliziumwaferen zesummen, reduzéiert den thermesche Stress an verbessert d'Prozesszouverlässegkeet.
Aussergewéinlech Verschleißbeständegkeet
Extrem Häert erhaalt Flaachheet a Präzisioun och bei laangfristeger, héichfrequenter Benotzung.

Produktiounsprozess

Virbereedung vun der Réistoff
Héichreinheets SiC-Pulver mat kontrolléierter Partikelgréisst an ultra-niddregen Ongereinheeten.
Formen & Sinteren
Techniken wéi z.B.Drocklos Sinterung (SSiC) or Reaktiounsbindung (RSiC)dicht, eenheetlech Keramiksubstrater produzéieren.
Präzisiounsbearbechtung
CNC-Schleifen, Laserschneiden an Ultra-Prezisiounsbearbeitung erreechen eng Toleranz vun ±0,01 mm an e Parallelismus vun ≤3 μm.
Uewerflächenbehandlung
Méistufeg Schleifen a Polieren bis Ra 0,02 μm; optional Beschichtunge fir Korrosiounsbeständegkeet oder personaliséiert Reibungseigenschaften verfügbar.
Inspektioun & Qualitéitskontroll
Interferometer a Rauheetstester iwwerpréiwen d'Konformitéit mat de Spezifikatioune fir Hallefleederqualitéit.

Technesch Spezifikatiounen

Parameter	Wäert	Eenheet
Flaachheet	≤0,5	μm
Wafergréissten	6'', 8'', 12'' (personaliséiert verfügbar)	—
Uewerflächentyp	Stifttyp / Ringtyp	—
Héicht vun der Pin	0,05–0,2	mm
Min. Stiftdurchmesser	ϕ0.2	mm
Min. Ofstand tëscht de Stiften	3	mm
Min. Dichtungsringbreet	0,7	mm
Uewerflächenrauheet	Ra 0,02	μm
Déckt Toleranz	±0,01	mm
Duerchmiesser Toleranz	±0,01	mm
Parallelismus-Toleranz	≤3	μm

Haaptapplikatiounen

Ausrüstung fir d'Inspektioun vu Hallefleiterwaferen
Waferfabrikatiouns- a Transfersystemer
Wafer Bonding & Packaging Tools
Fortgeschratt Produktioun vun optoelektroneschen Apparater
Präzisiounsinstrumenter, déi ultraflaach, ultra-propper Uewerfläche brauchen

Q&A – Siliziumkarbid Keramikfutter

Q1: Wéi vergläiche sech SiC-Keramik-Futterfutter mat Quarz- oder Metall-Futterfutter?
A1: SiC-Futterfutter si méi liicht, méi steif an hunn eng CTE, déi ähnlech wéi déi vun Siliziumwafers ass, wat d'thermesch Deformatioun miniméiert. Si bidden och eng iwwerleeën Verschleißbeständegkeet an eng méi laang Liewensdauer.

Q2: Wéi eng Flaachheet kann erreecht ginn?
A2: Kontrolléiert bannent0,3–0,5 μm, déi den héijen Ufuerderunge vun der Halbleiterproduktioun erfëllen.

Q3: Kratzt d'Uewerfläch d'Waferen?
A3: Nee - spigelpoléiert bisRa 0,02 μm, wat e kratzfräie Handhabung a reduzéiert Partikelbildung garantéiert.

Q4: Wéi eng Wafergréissten ginn ënnerstëtzt?
A4: Standardgréissten vun6'', 8'' an 12'', mat personaliséierter Optioun.

Q5: Wéi ass den thermesche Widderstand?
A5: SiC-Keramik bitt exzellent Héichtemperaturleistung mat minimaler Deformatioun ënner thermesche Zyklen.

Iwwer eis

XKH spezialiséiert sech op High-Tech-Entwécklung, Produktioun a Verkaf vu speziellem optesche Glas a neie Kristallmaterialien. Eis Produkter si fir optesch Elektronik, Konsumentelektronik a fir d'Militär geduecht. Mir bidden optesch Komponenten fir Saphir, Lënsenofdeckungen fir Handyen, Keramik, LT, Siliziumcarbid SIC, Quarz a Hallefleederkristallwaferen. Mat qualifizéierter Expertise a moderner Ausrüstung exceléiere mir an der Veraarbechtung vu Produkter ouni Standard, mat dem Zil, e féierend High-Tech-Entreprise fir optoelektronesch Materialien ze sinn.