Hallefisoléierend Siliziumcarbid (SiC) Substrat mat héijer Reinheet fir Ar-Gläser

Kuerz Beschreiwung:

Héichreinheets-Hallefisoléierend Siliziumkarbid (SiC)-Substrater si spezialiséiert Materialien aus Siliziumkarbid, déi wäit verbreet an der Fabrikatioun vun Energieelektronik, Radiofrequenz- (RF)-Geräter a vun Héichfrequenz- an Héichtemperatur-Halbleiterkomponenten agesat ginn. Siliziumkarbid, als Halbleitermaterial mat enger breeder Bandlück, bitt exzellent elektresch, thermesch a mechanesch Eegeschaften, wouduerch et héich gëeegent ass fir Uwendungen an Héichspannungs-, Héichfrequenz- an Héichtemperaturëmfeld.

Schéckt eis eng E-Mail

Fonctiounen

Detailéiert Diagramm

Produkt Iwwersiicht vun Hallefisoléierende SiC-Waferen

Eis héichreine Hallefisolatiouns-SiC-Wafere si fir fortgeschratt Leeschtungselektronik, RF/Mikrowellenkomponenten an optoelektronesch Uwendungen entwéckelt. Dës Wafere gi aus héichwäertege 4H- oder 6H-SiC-Eenzelkristaller hiergestallt, andeems eng raffinéiert Physical Vapor Transport (PVT) Wuessmethod benotzt gëtt, gefollegt vun Déifniveau-Kompensatiounsglühung. D'Resultat ass e Wafer mat de folgende aussergewéinleche Eegeschaften:

Ultrahéich Widderstandsfäegkeet: ≥1×10¹² Ω·cm, wat Leckstréim an Héichspannungs-Schaltgeräter effektiv miniméiert.
Breet Bandlück (~3,2 eV)Garantéiert exzellent Leeschtung an Ëmfeld mat héijen Temperaturen, héijem Feld an strahlungsintensiven Ëmfelder.
Aussergewéinlech thermesch Konduktivitéit>4,9 W/cm·K, wat eng effizient Wärmeofleedung an Uwendungen mat héijer Leeschtung garantéiert.
Iwwerleeën mechanesch StäerktMat enger Mohs-Härkeet vun 9,0 (nëmmen no Diamant), gerénger thermescher Expansioun a staarker chemescher Stabilitéit.
Atomar glat UewerflächRa < 0,4 nm an Defektdicht < 1/cm², ideal fir MOCVD/HVPE-Epitaxie a Mikro-Nano-Fabrikatioun.

Verfügbar GréisstenStandardgréissten enthalen 50, 75, 100, 150 an 200 mm (2"–8"), mat personaliséierten Duerchmiesser bis zu 250 mm.
Décktberäich: 200–1.000 μm, mat enger Toleranz vun ±5 μm.

Fabrikatiounsprozess vun halbisoléierenden SiC-Waferen

Virbereedung vu SiC-Pulver mat héijer Rengheet

AusgangsmaterialSiC-Pulver vu Qualitéit 6N, gereinegt mat Hëllef vu Méistufe-Vakuumsublimatioun an thermesche Behandlungen, wat eng niddreg Metallkontaminatioun (Fe, Cr, Ni < 10 ppb) a minimal polykristallin Inklusiounen garantéiert.

Modifizéiert PVT Eenzelkristallwuesstem

ËmweltBal am Vakuum (10⁻³–10⁻² Torr).
TemperaturGrafit-Tigel, deen op ~2.500 °C mat engem kontrolléierten thermesche Gradient vun ΔT ≈ 10–20 °C/cm erhëtzt gouf.
Gasfloss & TiegeldesignMoossgeschneidert Tiegel a poréis Separatoren garantéieren eng gläichméisseg Dampverdeelung an ënnerdrécken ongewollt Keimbildung.
Dynamesch Zufuhr & RotatiounDéi periodesch Opfëllung vu SiC-Pulver a Kristallstangrotatioun resultéiert an enger niddreger Dislokatiounsdicht (<3.000 cm⁻²) an enger konsequenter 4H/6H Orientéierung.

Déifniveau-Kompensatiounsglühung

WaasserstoffglühungGëtt an enger H₂-Atmosphär bei Temperaturen tëscht 600–1.400 °C duerchgefouert, fir Déiffalle z'aktivéieren an intrinsesch Träger ze stabiliséieren.
N/Al Co-Doping (Optional)Integratioun vun Al (Akzeptor) an N (Donor) wärend dem Wuesstum oder der CVD nom Wuesstum fir stabil Donor-Akzeptor-Pairen ze bilden, déi zu Widderstandsspëtzten féieren.

Präzisiounsschneiden & Méistufe-Lappen

Diamant-DrotsägenWafelen op eng Déckt vun 200–1.000 μm geschnidden, mat minimale Schued an enger Toleranz vun ±5 μm.
LappingprozessSequentiell grob- bis fein Diamant-Schleifmëttel entfernen Sägeschued a preparéieren de Wafer fir d'Poléieren.

Chemesch-mechanesch Poléierung (CMP)

PoliermedienNano-Oxid (SiO₂ oder CeO₂)-Schlamm an enger mëller alkalescher Léisung.
ProzesskontrollPoléieren mat nidderegem Stress miniméiert d'Rauheet, erreecht eng RMS-Rauheet vun 0,2–0,4 nm a eliminéiert Mikrokratzer.

Schlussreinigung & Verpackung

UltraschallreinigungMéistufeg Reinigungsprozess (organescht Léisungsmëttel, Säure/Basen-Behandlungen a Spullung mat deioniséiertem Waasser) an enger Klass-100 Reinigungsumgebung.
Versiegelung & VerpackungWafertrocknung mat Stickstoffspuere, versiegelt a mat Stickstoff gefëllte Schutzsäck a verpackt an antistatesch, vibratiounsdämpfend Äusserkëschten.

Spezifikatioune vun hallefisoléierende SiC-Waferen

Produktleistung	Klass P	Klass D
I. Kristallparameter	I. Kristallparameter	I. Kristallparameter
Kristall Polytyp	4H	4H
Breechungsindex a	>2,6 @589nm	>2,6 @589nm
Absorptiounsquote a	≤0,5% @450-650nm	≤1,5% @450-650nm
MP Transmittanz a (Onbeschichtet)	≥66,5%	≥66,2%
Niwwel a	≤0,3%	≤1,5%
Polytyp-Inklusioun a	Net erlaabt	Kumulativ Fläch ≤20%
Mikropäif Dicht a	≤0,5 /cm²	≤2 /cm²
Sechseckeg Void a	Net erlaabt	N/A
Facettéiert Inklusioun a	Net erlaabt	N/A
Deputéierten Inklusioun a	Net erlaabt	N/A
II. Mechanesch Parameteren	II. Mechanesch Parameteren	II. Mechanesch Parameteren
Duerchmiesser	150,0 mm +0,0 mm / -0,2 mm	150,0 mm +0,0 mm / -0,2 mm
Uewerflächenorientéierung	{0001} ±0,3°	{0001} ±0,3°
Primär flaach Längt	Kerb	Kerb
Sekundär flaach Längt	Keng zweet Wunneng	Keng zweet Wunneng
Notch Orientéierung	<1-100> ±2°	<1-100> ±2°
Kerbwénkel	90° +5° / -1°	90° +5° / -1°
Kerbdéift	1 mm vum Rand +0,25 mm / -0,0 mm	1 mm vum Rand +0,25 mm / -0,0 mm
Uewerflächenbehandlung	C-Fläch, Si-Fläch: Chemo-mechanesch Poléierung (CMP)	C-Fläch, Si-Fläch: Chemo-mechanesch Poléierung (CMP)
Waferrand	Ofgeschrägt (gerundet)	Ofgeschrägt (gerundet)
Uewerflächenrauheet (AFM) (5μm x 5μm)	Si-Gesiicht, C-Gesiicht: Ra ≤ 0,2 nm	Si-Gesiicht, C-Gesiicht: Ra ≤ 0,2 nm
Déckt a (Tropel)	500,0 μm ± 25,0 μm	500,0 μm ± 25,0 μm
LTV (Tropel) (40mm x 40mm) a	≤ 2 μm	≤ 4 μm
Total Décktvariatioun (TTV) a (Tropel)	≤ 3 μm	≤ 5 μm
Bow (Absolut Value) a (Tropel)	≤ 5 μm	≤ 15 μm
Warp a (Tropel)	≤ 15 μm	≤ 30 μm
III. Uewerflächenparameter	III. Uewerflächenparameter	III. Uewerflächenparameter
Chip/Kerb	Net erlaabt	≤ 2 Stéck, all Längt a Breet ≤ 1,0 mm
Kratze e (Si-Fläch, CS8520)	Gesamtlängt ≤ 1 x Duerchmiesser	Gesamtlängt ≤ 3 x Duerchmiesser
Partikel a (Si-Fläch, CS8520)	≤ 500 Stéck	N/A
Rëss	Net erlaabt	Net erlaabt
Kontaminatioun a	Net erlaabt	Net erlaabt

Schlësselapplikatioune vu semi-isoléierende SiC-Waferen

HéichleistungselektronikSiC-baséiert MOSFETs, Schottky-Dioden a Stroummoduler fir Elektroautoen (EVs) profitéiere vum niddrege Schaltwiderstand a vun den Héichspannungsméiglechkeeten vu SiC.
RF & MikrowellDéi héichfrequent Leeschtung a Stralungsbeständegkeet vu SiC si ideal fir 5G-Basisstatiounsverstärker, Radarmoduler a Satellittekommunikatioun.
OptoelektronikUV-LEDs, Blo-Laserdioden a Photodetektoren benotzen atomar glat SiC-Substrater fir e uniformt epitaktesch Wuesstum.
Extrem ËmweltdetektiounD'Stabilitéit vu SiC bei héijen Temperaturen (>600 °C) mécht et perfekt fir Sensoren an haarden Ëmfeld, dorënner Gasturbinen an Nukleardetektoren.
Loft- a Raumfaart & VerdeedegungSiC bitt Haltbarkeet fir Leeschtungselektronik a Satellitten, Rakéitesystemer an Loftfaartelektronik.
Fortgeschratt FuerschungBenotzerdefinéiert Léisunge fir Quantecomputer, Mikrooptik an aner spezialiséiert Fuerschungsapplikatiounen.

FAQs

Firwat halbisoléierend SiC amplaz vu konduktiven SiC?
Hallefisoléierend SiC bitt e vill méi héije Widderstand, wat Leckstréim an Héichspannungs- an Héichfrequenzgeräter reduzéiert. Leetfäeg SiC ass besser geegent fir Uwendungen, wou elektresch Leetfäegkeet gebraucht gëtt.
Kënnen dës Wafere fir epitaktesch Wuesstem benotzt ginn?
Jo, dës Wafere sinn epi-ready an optiméiert fir MOCVD, HVPE oder MBE, mat Uewerflächenbehandlungen a Defektkontroll fir eng iwwerleeën epitaktesch Schichtqualitéit ze garantéieren.
Wéi garantéiert Dir d'Sauberkeet vun de Waferen?
E Klass-100 Reinigungsprozess fir Cleanrooms, eng Méistuf-Ultraschallreinigung an eng mat Stéckstoff versiegelt Verpackung garantéieren, datt d'Wafere fräi vu Kontaminanten, Réckstänn a Mikrokratzer sinn.
Wat ass d'Liwwerzäit fir Bestellungen?
Prouwe ginn typescherweis bannent 7-10 Aarbechtsdeeg verschéckt, während Produktiounsbestellunge meeschtens a 4-6 Wochen geliwwert ginn, ofhängeg vun der spezifescher Wafergréisst an de personaliséierte Funktiounen.
Kënnt Dir personaliséiert Formen ubidden?
Jo, mir kënnen personaliséiert Substrate a verschiddene Formen erstellen, wéi zum Beispill planar Fënsteren, V-Nuten, sphäresch Lënsen a méi.

Iwwer eis

XKH spezialiséiert sech op High-Tech-Entwécklung, Produktioun a Verkaf vu speziellem optesche Glas a neie Kristallmaterialien. Eis Produkter si fir optesch Elektronik, Konsumentelektronik a fir d'Militär geduecht. Mir bidden optesch Komponenten fir Saphir, Lënsenofdeckungen fir Handyen, Keramik, LT, Siliziumcarbid SIC, Quarz a Hallefleederkristallwaferen. Mat qualifizéierter Expertise a moderner Ausrüstung exceléiere mir an der Veraarbechtung vu Produkter ouni Standard, mat dem Zil, e féierend High-Tech-Entreprise fir optoelektronesch Materialien ze sinn.