Produkter Neiegkeeten
-
Waferreinigungstechnologie an der Hallefleiterproduktioun
Waferreinigungstechnologie an der Hallefleiterproduktioun D'Waferreinigung ass e wichtege Schrëtt am ganze Hallefleiterproduktiounsprozess an ee vun de Schlësselfaktoren, déi direkt d'Leeschtung vum Apparat an d'Produktiounsertrag beaflossen. Wärend der Chipfabrikatioun kann och déi klengst Kontaminatioun ...Liest méi -
Technologien fir d'Reinigung vu Waferen an technesch Dokumentatioun
Inhaltsverzeechnes 1. Kärziler a Wichtegkeet vun der Waferreinigung 2. Kontaminatiounsbeurteilung an fortgeschratt analytesch Techniken 3. Fortgeschratt Reinigungsmethoden an technesch Prinzipien 4. Technesch Ëmsetzung a Prozesskontroll Essentials 5. Zukünfteg Trends an innovativ Richtungen 6. X...Liest méi -
Frësch gewuess Eenzelkristaller
Eenzelkristaller si rar an der Natur, an och wann se optrieden, si se meeschtens ganz kleng - typescherweis op der Millimeterskala (mm) - a schwéier ze kréien. Diamanten, Smaragder, Agaten, etc., déi bekannt sinn, kommen normalerweis net an de Maart, nach manner an industriell Uwendungen; déi meescht ginn ausgestallt ...Liest méi -
De gréisste Keefer vun héichreinegem Aluminiumoxid: Wéi vill wësst Dir iwwer Saphir?
Saphirkristaller gi vun héichreinegem Aluminiumoxidpulver mat enger Rengheet vun >99,995% ugebaut, wat se zu der gréisster Nofro fir héichreinegem Aluminiumoxid mécht. Si weisen eng héich Festigkeit, eng héich Häert a stabil chemesch Eegeschaften, wat et hinnen erméiglecht, a rauen Ëmfeld wéi héijen Temperaturen ze funktionéieren...Liest méi -
Wat bedeiten TTV, BOW, WARP an TIR a Waferen?
Wann een Hallefleeder-Siliciumwaferen oder Substrater aus anere Materialien ënnersicht, stousse mer dacks op technesch Indikatoren wéi: TTV, BOW, WARP, a méiglecherweis TIR, STIR, LTV, ënner anerem. Wéi eng Parameter representéieren dës? TTV — Total Thickness Variation BOW — Bow WARP — Warp TIR — ...Liest méi -
Héichpräzis Laserschneidausrüstung fir 8-Zoll SiC-Waferen: Déi zentral Technologie fir d'Zukunft vun der SiC-Waferveraarbechtung
Siliziumkarbid (SiC) ass net nëmmen eng kritesch Technologie fir d'national Verteidegung, mä och e wichtegt Material fir déi global Automobil- an Energieindustrie. Als éischte kritesche Schrëtt an der SiC-Eenkristallveraarbechtung bestëmmt d'Waferschneiden direkt d'Qualitéit vun der spéiderer Verdënnung a Polierung. Tr...Liest méi -
Optesch Siliziumkarbid-Wellenleiter-AR-Glieser: Virbereedung vun héichreinege Hallefisolatiounssubstrater
Virum Hannergrond vun der KI-Revolutioun kommen AR-Brëllen lues a lues an d'ëffentlech Bewosstsinn. Als e Paradigma, dat virtuell a real Welten nahtlos vermëscht, ënnerscheede sech AR-Brëllen vun VR-Geräter doduerch, datt se et de Benotzer erlaben, souwuel digital projetéiert Biller wéi och Ëmweltliicht gläichzäiteg ze gesinn...Liest méi -
Heteroepitaxialt Wuesstum vu 3C-SiC op Siliziumsubstrater mat verschiddenen Orientéierungen
1. Aféierung Trotz Joerzéngte vun der Fuerschung huet heteroepitaxial 3C-SiC, déi op Siliziumsubstrater ugebaut gouf, nach net genuch Kristallqualitéit fir industriell elektronesch Uwendungen erreecht. D'Wuesstum gëtt typescherweis op Si(100)- oder Si(111)-Substrater duerchgefouert, déi all eenzel Erausfuerderunge mat sech bréngen: Antiphas ...Liest méi -
Siliziumkarbidkeramik vs. Halbleiter Siliziumkarbid: Dat selwecht Material mat zwou verschiddene Schicksaler
Siliziumkarbid (SiC) ass eng bemierkenswäert Verbindung, déi souwuel an der Hallefleederindustrie wéi och an fortgeschrattene Keramikprodukter fonnt ka ginn. Dëst féiert dacks zu Duercherneen bei Laien, déi se mat dem selwechte Produkt verwiessele kënnen. Tatsächlech, obwuel se déiselwecht chemesch Zesummesetzung hunn, manifestéiert sech SiC...Liest méi -
Fortschrëtter an den Technologien fir d'Virbereedung vu Siliziumcarbid-Keramik mat héijer Rengheet
Héichreine Siliziumkarbid (SiC) Keramik huet sech als ideal Material fir kritesch Komponenten an der Hallefleeder-, Loftfaart- a chemescher Industrie erausgestallt wéinst hirer aussergewéinlecher Wärmeleitfäegkeet, chemescher Stabilitéit a mechanescher Stäerkt. Mat der wuessender Nofro fir héich performant, niddregpolar...Liest méi -
Technesch Prinzipien a Prozesser vun LED Epitakzialwaferen
Aus dem Funktionsprinzip vun LEDs geet ervir, datt den epitaktischen Wafermaterial den Haaptkomponent vun enger LED ass. Tatsächlech ginn déi wichtegst optoelektronesch Parameter wéi Wellelängt, Hellegkeet a Virspannung gréisstendeels vum epitaktischen Material bestëmmt. Epitaktesch Wafertechnologie an Ausrüstung...Liest méi -
Schlëssel Iwwerleeunge fir d'Virbereedung vun engem héichwäertege Siliziumcarbid-Eenkristall
Déi wichtegst Methode fir d'Virbereedung vu Silizium-Eenkristaller sinn: Physikaleschen Damptransport (PVT), Top-Seeded Solution Growth (TSSG) an High-Temperature Chemical Vapor Deposition (HT-CVD). Dorënner ass d'PVT-Method wäit verbreet an der industrieller Produktioun wéinst hirer einfacher Ausrüstung, einfacher ...Liest méi