4H-SiC Epitaxialwafer fir Ultra-Héichspannungs-MOSFETs (100–500 μm, 6 Zoll)

Kuerz Beschreiwung:

Dat séiert Wuesstem vun Elektroautoen, Smart Grids, erneierbaren Energiesystemer an industriellen Ausrüstung mat héijer Leeschtung huet en dréngende Besoin u Hallefleederkomponenten geschaf, déi méi héich Spannungen, méi héich Leeschtungsdichten a méi grouss Effizienz handhabe kënnen. Ënnert Hallefleeder mat breeder Bandlück,Siliziumkarbid (SiC)ënnerscheet sech duerch seng grouss Bandlück, héich thermesch Konduktivitéit a mëttel kritesch elektresch Feldstäerkt.

Schéckt eis eng E-Mail

Fonctiounen

Detailéiert Diagramm

Produkt Iwwersiicht

Eis4H-SiC epitaktesch Waferensinn speziell dofir entwéckeltUltrahéichspannungs-MOSFET-ApplikatiounenMat epitaktischen Schichten, déi vun100 μm bis 500 μm on 6-Zoll (150 mm) Substrater, liwweren dës Wafer déi verlängert Driftregiounen, déi fir kV-Klass-Geräter erfuerderlech sinn, wärend se gläichzäiteg eng aussergewéinlech Kristallqualitéit a Skalierbarkeet erhalen. Standarddicken enthalen 100 μm, 200 μm an 300 μm, mat personaliséierbarer Optioun.

Epitaktesch Schichtdéckt

D'epitaxial Schicht spillt eng entscheedend Roll bei der Bestëmmung vun der Leeschtung vum MOSFET, besonnesch dem Gläichgewiicht tëschtDuerchbrochspannunganOn-Resistenz.

100–200 μmOptimiséiert fir MOSFETs mat mëttlerer bis héijer Spannung, a bitt eng exzellent Gläichgewiicht tëscht Leetungseffizienz a Blockéierungsstäerkt.
200–500 μmGëeegent fir Ultrahéichspannungsgeräter (10 kV+), wat laang Driftsregiounen fir robust Duerchschlagcharakteristiken erméiglecht.

Iwwer déi ganz Gamme,D'Dickeuniformitéit gëtt bannent ±2% kontrolléiert, wat Konsistenz vu Wafer zu Wafer a vu Charge zu Charge garantéiert. Dës Flexibilitéit erlaabt et den Designer, d'Leeschtung vum Apparat fir hir Zilspannungsklassen ze feinjustéieren, wärend d'Reproduzéierbarkeet an der Masseproduktioun erhale bleift.

Produktiounsprozess

Eis Wafere gi mat Hëllef vunModern CVD (Chemesch Dampoflagerung) Epitaxie, wat eng präzis Kontroll vun der Déckt, der Dotierung an der kristalliner Qualitéit erméiglecht, och bei ganz décke Schichten.

CVD Epitaxie– Héichreinheetsgaser an optiméiert Konditioune garantéieren glat Uewerflächen a geréng Defektdichten.
Déck Schichtwuesstum– Proprietär Prozessrezepter erlaben eng epitaktesch Déckt bis zu500 μmmat exzellenter Uniformitéit.
Dopingkontroll– Upassbar Konzentratioun tëscht1×10¹⁴ – 1×10¹⁶ cm⁻³, mat enger Uniformitéit besser wéi ±5%.
Uewerflächenvirbereedung– Wafere ginn ënnerworfCMP-Poléierungan eng rigoréis Inspektioun, déi Kompatibilitéit mat fortgeschrattene Prozesser wéi Gate-Oxidatioun, Photolithographie a Metalliséierung garantéiert.

Schlësselvirdeeler

Ultra-héich Spannungsfäegkeet– Déck epitaktesch Schichten (100–500 μm) ënnerstëtzen MOSFET-Designen vun der kV-Klass.
Aussergewéinlech Kristallqualitéit– Niddreg Dislokatiouns- a Basalplandefektdichte garantéieren Zouverlässegkeet a minimiséieren Leckage.
6-Zoll grouss Substrater– Ënnerstëtzung fir grouss Produktiounsvolumen, reduzéiert Käschte pro Apparat a Fabréckskompatibilitéit.
Iwwerleeën thermesch Eegeschaften– Héich thermesch Leetfäegkeet a grouss Bandlück erméiglechen effizienten Operatioun bei héijer Leeschtung an Temperatur.
Personaliséierbar Parameteren– Déckt, Dotierung, Orientéierung an Uewerflächenfinish kënnen op spezifesch Ufuerderungen ugepasst ginn.

Typesch Spezifikatiounen

Parameter	Spezifikatioun
Konduktivitéitstyp	N-Typ (mat Stéckstoff dotiert)
Widderstandsfäegkeet	All
Off-Axis Wénkel	4° ± 0,5° (a Richtung [11-20])
Kristall Orientéierung	(0001) Si-Fläch
Déckt	200–300 μm (personaliséierbar 100–500 μm)
Uewerflächenfinish	Front: CMP poléiert (epi-ready) Réck: iwwerlappt oder poléiert
TTV	≤ 10 μm
Schleif/Ketten	≤ 20 μm

Uwendungsberäicher

4H-SiC epitaxial Wafere si perfekt dofir geegentMOSFETs an Ultrahéichspannungssystemer, dorënner:

Traktiounsinverter fir Elektroautoen & Héichspannungslademoduler
Smart Grid Transmissiouns- a Verdeelungsausrüstung
Erneierbar Energieinverter (Solar, Wand, Späicherung)
Héichleistungsindustriell Versuergung & Schaltsystemer

FAQ

Q1: Wat ass den Typ vun der Konduktivitéit?
A1: N-Typ, mat Stickstoff dotiert - den Industriestandard fir MOSFETs an aner Energieversuergungskomponenten.

Q2: Wéi eng epitaktesch Déckten sinn verfügbar?
A2: 100–500 μm, mat Standardoptiounen op 100 μm, 200 μm an 300 μm. Individuell Dicken op Ufro verfügbar.

Q3: Wat ass d'Orientéierung an den Off-Achs-Wénkel vun der Wafer?
A3: (0001) Si-Fläch, mat 4° ± 0,5° vun der Achs ewech a Richtung [11-20].

Iwwer eis

XKH spezialiséiert sech op High-Tech-Entwécklung, Produktioun a Verkaf vu speziellem optesche Glas a neie Kristallmaterialien. Eis Produkter si fir optesch Elektronik, Konsumentelektronik a fir d'Militär geduecht. Mir bidden optesch Komponenten fir Saphir, Lënsenofdeckungen fir Handyen, Keramik, LT, Siliziumcarbid SIC, Quarz a Hallefleederkristallwaferen. Mat qualifizéierter Expertise a moderner Ausrüstung exceléiere mir an der Veraarbechtung vu Produkter ouni Standard, mat dem Zil, e féierend High-Tech-Entreprise fir optoelektronesch Materialien ze sinn.