4 Zoll SiC Wafers 6H Hallefisoléierend SiC Substrater Prime-, Fuerschungs- a Dummy-Qualitéit

Kuerz Beschreiwung:

Hallefisoléiert Siliziumcarbid-Substrater ginn duerch Schneiden, Schleifen, Poléieren, Botzen an aner Veraarbechtungstechnologien no der Entwécklung vum hallefisoléierte Siliziumcarbidkristall geformt. Eng Schicht oder Méischicht-Kristallschicht gëtt um Substrat ugebaut, déi d'Qualitéitsufuerderunge fir Epitaxie erfëllt, an duerno gëtt den HF-Apparat duerch d'Kombinatioun vum Schaltkreesdesign an der Verpackung hiergestallt. Verfügbar als 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll an 8 Zoll industriell, Fuerschungs- a Testqualitéit hallefisoléiert Siliziumcarbid-Eenkristallsubstrat.

Schéckt eis eng E-Mail

Fonctiounen

Produktspezifikatioun

Grad			Null MPD Produktiounsgrad (Z-Grad)			Standard Produktiounsgrad (P-Grad)		Dummy-Klass (Klass D)
Duerchmiesser			99,5 mm~100,0 mm
	4H-SI		500 μm ± 20 μm			500 μm ± 25 μm
Wafer Orientéierung			Off-Achs: 4,0° Richtung < 1120 > ±0,5° fir 4H-N, Op-Achs: < 0001 > ±0,5° fir 4H-SI
	4H-SI		≤1cm^-2			≤5 cm^-2		≤15 cm^-2
	4H-SI		≥1E9 Ω·cm					≥1E5 Ω·cm
Primär flaach Orientéierung		{10-10} ±5,0°
Primär flaach Längt		32,5 mm±2,0 mm
Sekundär flaach Längt		18,0 mm±2,0 mm
Sekundär flaach Orientéierung		Silikon-Uewerfläch no uewen: 90° mat der rietser Säit vun der Prime-Flaach ±5,0°
Randausgrenzung		3 mm
LTV/TTV/Béi/Verzerrung		≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm						≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rauheet			C-Gesiicht				Polnesch		Ra≤1 nm
			Si Gesiicht	CMP	Ra≤0,2 nm					Ra≤0,5 nm
Kantrëss duerch héichintensivt Liicht		Keen						Kumulativ Längt ≤ 10 mm, eenzel Längt ≤2 mm
Sechseckplacken duerch héichintensivt Liicht		Kumulativ Fläch ≤0,05%						Kumulativ Fläch ≤0,1%
Polytypberäicher duerch héichintensivt Liicht		Keen						Kumulativ Fläch ≤3%
Visuell Kuelestoffinklusiounen		Kumulativ Fläch ≤0,05%						Kumulativ Fläch ≤3%
Siliziumoberfläche kraazt duerch héichintensivt Liicht		Keen						Kumulativ Längt ≤1＊Waferduerchmiesser
Kantchips mat héijer Intensitéit vum Liicht		Keen erlaabt ≥0,2 mm Breet an Déift						5 erlaabt, ≤1 mm all
Siliziumoberflächenkontaminatioun duerch héich Intensitéit		Keen
Verpackung		Multi-Wafer Kassett oder Eenzelwafer Behälter