4 Zoll Saphir Wafer C-Plane SSP/DSP 0,43 mm 0,65 mm
Uwendungen
● Wuesssubstrat fir III-V an II-VI Verbindungen.
● Elektronik an Optoelektronik.
● IR-Applikatiounen.
● Silizium op Saphir integréiert Schaltung (SOS).
● Radiofrequenzintegréiert Schaltung (RFIC).
An der LED-Produktioun gi Saphirwafer als Substrat fir d'Wuesstum vu Galliumnitrid (GaN)-Kristaller benotzt, déi Liicht ausstralen, wann en elektresche Stroum ugewannt gëtt. Saphir ass en idealt Substratmaterial fir GaN-Wuesstum, well et eng ähnlech Kristallstruktur an en thermeschen Ausdehnungskoeffizient wéi GaN huet, wat Defekter miniméiert an d'Kristallqualitéit verbessert.
An der Optik gi Saphirwafer als Fënsteren a Lënsen an Héichdrock- an Héichtemperaturëmfeld, souwéi an Infrarout-Bildgebungssystemer benotzt, wéinst hirer héijer Transparenz an Häert.
Spezifikatioun
| Artikel | 4-Zoll C-Plane(0001) 650μm Saphirwaferen | |
| Kristallmaterialien | 99,999%, héich Rengheet, monokristallin Al2O3 | |
| Grad | Prime, Epi-Ready | |
| Uewerflächenorientéierung | C-Ebene(0001) | |
| C-Fläch Off-Wénkel zur M-Achs 0,2 +/- 0,1° | ||
| Duerchmiesser | 100,0 mm +/- 0,1 mm | |
| Déckt | 650 μm +/- 25 μm | |
| Primär flaach Orientéierung | A-Fläch (11-20) +/- 0,2° | |
| Primär flaach Längt | 30,0 mm +/- 1,0 mm | |
| Eenzel Säit poléiert | Frontfläch | Epi-poléiert, Ra < 0,2 nm (duerch AFM) |
| (SSP) | Réckfläch | Fein gemuel, Ra = 0,8 μm bis 1,2 μm |
| Duebel Säit poléiert | Frontfläch | Epi-poléiert, Ra < 0,2 nm (duerch AFM) |
| (DSP) | Réckfläch | Epi-poléiert, Ra < 0,2 nm (duerch AFM) |
| TTV | < 20 μm | |
| BOU | < 20 μm | |
| WARP | < 20 μm | |
| Botzen / Verpackung | Klass 100 Reinigung a Vakuumverpackung, | |
| 25 Stéck an enger Kassettenverpackung oder Eenzelstéckverpackung. | ||
Verpackung & Versand
Am Allgemengen liwweren mir de Pak mat 25 Kassetten; mir kënnen och an engem eenzege Waferbehälter ënner engem 100-Grad-Botzraum no de Bedierfnesser vum Client verpackt ginn.
Detailéiert Diagramm
