12 Zoll Saphirwafer fir d'Héichvolumen-Hallefleiterproduktioun

Kuerz Beschreiwung:

De 12-Zoll-Saphir-Wafer ass entwéckelt fir der wuessender Nofro no groussflächeger, héichdurchsätzlecher Hallefleeder- an optoelektronescher Produktioun gerecht ze ginn. Well d'Architekturen vun den Apparater weider skaléieren an d'Produktiounslinne sech op méi grouss Waferformater orientéieren, bidden Saphirsubstrater mat ultragroussen Duerchmiesser kloer Virdeeler a punkto Produktivitéit, Rendementoptimiséierung a Käschtekontroll.

Schéckt eis eng E-Mail

Fonctiounen

Detailéiert Diagramm

Aféierung vun engem 12 Zoll Saphirwafer

Eis 12-Zoll-Saphirwafer, déi aus héichreinegem Eenkristall-Al₂O₃ hiergestallt ginn, kombinéieren exzellent mechanesch Stäerkt, thermesch Stabilitéit a Uewerflächenqualitéit. Duerch optiméiert Kristallwuesstum a präzis Waferveraarbechtung liwweren dës Substrater zouverlässeg Leeschtung fir fortgeschratt LED-, GaN- a speziell Hallefleederapplikatiounen.

Materialcharakteristiken

Saphir (Eenkristall-Aluminiumoxid, Al₂O₃) ass bekannt fir seng aussergewéinlech physikalesch a chemesch Eegeschaften. 12-Zoll-Saphirwafer ierwen all d'Virdeeler vum Saphirmaterial a bidden gläichzäiteg eng vill méi grouss brauchbar Uewerfläch.

Schlësselcharakteristike vum Material sinn:

Extrem héich Häert a Verschleißbeständegkeet
Excellent thermesch Stabilitéit an héije Schmelzpunkt
Iwwerleeën chemesch Resistenz géint Säuren an Alkalien
Héich optesch Transparenz vun UV bis IR Wellelängten
Excellent elektresch Isolatiounseigenschaften

Dës Charakteristike maachen 12 Zoll Saphirwafere gëeegent fir haart Veraarbechtungsumfeld a fir héichtemperaturéiert Hallefleederproduktiounsprozesser.

Produktiounsprozess

D'Produktioun vun 12-Zoll-Saphirwaferen erfuerdert fortgeschratt Kristallwuesstums- an ultrapräzis Veraarbechtungstechnologien. Den typesche Fabrikatiounsprozess ëmfaasst:

Eenzelkristallwuesstum
Héichreine Saphirkristaller ginn mat fortgeschrattene Methoden wéi KY oder aner Kristallwuesstumstechnologien mat groussen Duerchmiesser ugebaut, wat eng eenheetlech Kristallorientéierung a geréng intern Spannung garantéiert.
Kristallformung a Schneiden
De Saphirbarre gëtt präzis geformt a mat héichpräzisen Schnëttausrüstung a 12 Zoll Wafere geschnidden, fir Schied un der Ënnerfläch ze minimiséieren.
Lappen a Polieren
Méistufeg Läppungs- a chemesch-mechanesch Polierprozesser (CMP) ginn ugewannt fir eng exzellent Uewerflächenrauheet, Flaachheet an Déckteuniformitéit z'erreechen.
Botzen an Inspektioun
All 12 Zoll Saphirwafer gëtt enger grëndlecher Reinigung an enger strikter Inspektioun ënnerworf, inklusiv Uewerflächenqualitéit, TTV, Bogen-, Verformungs- an Defektanalyse.

Uwendungen

12 Zoll Saphirwafer gi wäit an fortgeschrattenen an nei opkomende Technologien benotzt, dorënner:

LED-Substrater mat héijer Leeschtung an héijer Hellegkeet
GaN-baséiert Energieversuergungsapparater an HF-Apparater
Halbleiter-Ausrüstungsträger an isoléierend Substrate
Optesch Fënsteren an optesch Komponenten mat grousser Fläch
Fortgeschratt Halbleiterverpackung a speziell Prozessträger

Den groussen Duerchmiesser erméiglecht en héijen Duerchgank a verbessert Käschteeffizienz an der Masseproduktioun.

Virdeeler vun 12 Zoll Saphirwaferen

Méi grouss brauchbar Fläch fir eng méi héich Ausgangsleistung pro Wafer
Verbessert Prozesskonsistenz an Uniformitéit
Reduzéiert Käschte pro Apparat bei der Produktioun vu grousse Volumen
Excellent mechanesch Stäerkt fir d'Handhabung vu grousse Gréissten
Personaliséierbar Spezifikatioune fir verschidden Uwendungen

Personaliséierungsoptiounen

Mir bidden flexibel Upassung fir 12 Zoll Saphirwaferen, dorënner:

Kristallorientéierung (C-Fläch, A-Fläch, R-Fläch, etc.)
Toleranz vun der Dicke an dem Duerchmiesser
Eensäiteg oder duebelsäiteg Polieren
Kantenprofil a Fasedesign
Ufuerderunge fir Uewerflächenrauheet a Flaachheet

Parameter	Spezifikatioun	Notizen
Waferduerchmiesser	12 Zoll (300 mm)	Standard-Wafer mat groussen Duerchmiesser
Material	Eenkristall-Saphir (Al₂O₃)	Héichreinheet, elektronesch/optesch Qualitéit
Kristall Orientéierung	C-Fläch (0001), A-Fläch (11-20), R-Fläch (1-102)	Optional Orientéierungen verfügbar
Déckt	430–500 μm	Benotzerdefinéiert Déckt op Ufro verfügbar
Déckt Toleranz	±10 μm	Eng enk Toleranz fir fortgeschratt Apparater
Total Décktvariatioun (TTV)	≤10 μm	Garantéiert eng eenheetlech Veraarbechtung iwwer de ganze Wafer
Béi	≤50 μm	Iwwer de ganze Wafer gemooss
Ketten	≤50 μm	Iwwer de ganze Wafer gemooss
Uewerflächenfinish	Eensäiteg poléiert (SSP) / Duebelsäiteg poléiert (DSP)	Héich optesch Qualitéit vun der Uewerfläch
Uewerflächenrauheet (Ra)	≤0,5 nm (poléiert)	Gläichméissegkeet op atomarer Ebene fir epitaktesch Wuesstem
Randprofil	Ofgerënnt Kant / Ofgerënnt Kant	Fir Ofsplitterungen beim Ëmgang ze vermeiden
Orientéierungsgenauegkeet	±0,5°	Garantéiert e richtegt Wuesstum vun der epitaktischer Schicht
Defektdicht	<10 cm⁻²	Gemooss duerch optesch Inspektioun
Flaachheet	≤2 μm / 100 mm	Garantéiert eng eenheetlech Lithographie an epitaktesch Wuesstem
Rengheet	Klass 100 – Klass 1000	Kompatibel mat propperem Raum
Optesch Transmissioun	>85% (UV-IR)	Hängt vun der Wellelängt an der Déckt of

FAQ iwwer 12 Zoll Saphirwaferen

Q1: Wat ass déi Standarddicke vun engem 12 Zoll Saphirwafer?
A: Déi Standarddicke läit tëscht 430 μm an 500 μm. Individuell Dicke kënnen och no de Wënsch vum Client produzéiert ginn.

Q2: Wéi eng Kristallorientéierunge si fir 12 Zoll Saphirwafer verfügbar?
A: Mir bidden Orientéierungen am C-Fläch (0001), am A-Fläch (11-20) an am R-Fläch (1-102). Aner Orientéierunge kënnen op Basis vun de spezifeschen Ufuerderunge vum Apparat personaliséiert ginn.

Q3: Wat ass déi total Dickevariatioun (TTV) vum Wafer?
A: Eis 12 Zoll Saphirwafer hunn typescherweis en TTV ≤10 μm, wat eng Uniformitéit iwwer déi ganz Waferuewerfläch fir eng héichqualitativ Fabrikatioun vun Apparater garantéiert.

Iwwer eis

XKH spezialiséiert sech op High-Tech-Entwécklung, Produktioun a Verkaf vu speziellem optesche Glas a neie Kristallmaterialien. Eis Produkter si fir optesch Elektronik, Konsumentelektronik a fir d'Militär geduecht. Mir bidden optesch Komponenten fir Saphir, Lënsenofdeckungen fir Handyen, Keramik, LT, Siliziumcarbid SIC, Quarz a Hallefleederkristallwaferen. Mat qualifizéierter Expertise a moderner Ausrüstung exceléiere mir an der Veraarbechtung vu Produkter ouni Standard, mat dem Zil, e féierend High-Tech-Entreprise fir optoelektronesch Materialien ze sinn.